sk 海力士文章進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)

韓國(guó)SK公司將進(jìn)軍中國(guó)開(kāi)發(fā)新型太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)

　　據(jù)媒體報(bào)道日前，韓國(guó)頂級(jí)煉油商SK集團(tuán)旗下的SK創(chuàng)新公司與中國(guó)內(nèi)地和臺(tái)灣能源公司簽訂合作協(xié)定，開(kāi)發(fā)新型太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)。　　SK創(chuàng)新與中國(guó)皇明太陽(yáng)能集團(tuán)和臺(tái)灣塑膠工業(yè)股份有限公司簽訂合同，聯(lián)合為中國(guó)西北部城市德州開(kāi)發(fā)一個(gè)太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)。　　
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海力士2Q營(yíng)收26億美元

　　韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營(yíng)收減少1%，但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。　　
關(guān)鍵字：海力士 DRAM

海力士2Q營(yíng)收26億美元營(yíng)業(yè)利益4.2億美元

　　韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix) 21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與 2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營(yíng)收減少1%，但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。
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韓國(guó)SK集團(tuán)態(tài)度轉(zhuǎn)變將參與海力士購(gòu)并案

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，直到7月5日還在考慮是否購(gòu)并海力士半導(dǎo)體(Hynix)的現(xiàn)代重工業(yè)(Hyundai Heavy Industries)，最終決定不提出意向申請(qǐng)書(shū)(LOI)，然現(xiàn)又傳出韓國(guó)SK集團(tuán)將要推動(dòng)購(gòu)并海力士。由于SK集團(tuán)主要經(jīng)營(yíng)通信及煉油事業(yè)，已感受到事業(yè)成長(zhǎng)極限的SK集團(tuán)，選擇半導(dǎo)體作為集團(tuán)新成長(zhǎng)動(dòng)力，架構(gòu)通信服務(wù)、煉油和半導(dǎo)體3大事業(yè)主軸。若SK集團(tuán)確定投標(biāo)，海力士的股權(quán)拋售局面也將出現(xiàn)反轉(zhuǎn)。
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海力士美光指責(zé)Rambus將技術(shù)失敗歸咎對(duì)手

　　海力士半導(dǎo)體和美光律師在法院上表示，Rambus在內(nèi)存芯片上伎倆骯臟，自己在技術(shù)上失敗卻怪罪于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。本周二，海力士公開(kāi)一份聲明，代表律師肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)說(shuō)Rambus RDRAM內(nèi)存技術(shù)在設(shè)計(jì)和技術(shù)上存在問(wèn)題，盡管在早期得到了英特爾的支持，卻未能廣泛被采納。
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海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程　主打26納米產(chǎn)品

　　韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。　　NAND Flash為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。　　NAND Flash為非揮發(fā)性?xún)?nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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SK投資2500億韓元建汽車(chē)用鋰離子電池廠

　　6月1日消息，新能源汽車(chē)在全球的火熱程度也讓電池業(yè)著實(shí)火了一把，由于電池是電動(dòng)汽車(chē)軟肋，使得企業(yè)都把電池的研發(fā)放在首位，欲先攻破電池難關(guān)。　　
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海力士半導(dǎo)體工廠蒸鍍?cè)O(shè)備氣體外泄

　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍?cè)O(shè)備過(guò)程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。　　
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韓國(guó)ipad 2銷(xiāo)售一空

　　韓國(guó)前兩大電信運(yùn)營(yíng)商SK Telecom、韓國(guó)電信(KT)周二宣布，由于供貨吃緊，他們已經(jīng)暫停蘋(píng)果iPad 2在線銷(xiāo)售業(yè)務(wù)。iPad 2在韓國(guó)的上市時(shí)間還不到一周。　　
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海力士一季度凈利潤(rùn)2.54億美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，今年第一季度海力士實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求低迷導(dǎo)致芯片價(jià)格下滑影響。　　
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2010韓國(guó)電子制造設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速

　　2010年韓國(guó)半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷(xiāo)售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國(guó)僅2間企業(yè)年度銷(xiāo)售逾2,000億韓元，過(guò)去韓國(guó)半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國(guó)產(chǎn)業(yè)者積極推動(dòng)事業(yè)多元化及擴(kuò)大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長(zhǎng)中。根據(jù)韓國(guó)電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷(xiāo)售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問(wèn)時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

　　海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì)，社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。　
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海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)完畢

　　三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開(kāi)發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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