sk海力士 文章 進入sk海力士技術(shù)社區(qū)
SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片
- 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片,并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴大到 14~15 萬片(IT之家注:單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官
- 12 月 5 日消息,據(jù) Businesses Korea 今日報道,SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率,該公司推行“C-Level”管理體系,依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限,業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(CMO)、未來技術(shù)研究院(CTO)、研發(fā)(CDO)和生產(chǎn)(CPO)在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹,新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力,著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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老對頭三星、SK海力士結(jié)盟!聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內(nèi)存
- 12月2日消息,據(jù)韓國媒體報道, 在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士,近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟,共同推動LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時,愿意擱置競爭,共同推動行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進程,以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起,PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲和計算結(jié)合,直接在存儲單元進行計算,有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
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SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存
- 2024年11月21日,SK海力士宣布,開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存。SK海力士表示:“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品,并供應(yīng)于市場,此次又率先推出了超過300層的NAND閃存,突破了技術(shù)界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品,由此應(yīng)對市場需求?!惫驹诖舜萎a(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù),克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進行通孔工藝流程,隨后經(jīng)
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存,明年初出樣
- 11 月 4 日消息,SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量,預(yù)計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用,但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章,HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到,SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280G
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AI需求持續(xù)爆發(fā)!“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄
- 獲悉,周四,SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收,這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應(yīng)商,這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達到7.03萬億韓元(51億美元),上年同期為虧損1.8萬億韓元,高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%,達到17.6萬億韓元,而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來,SK海力士股價累計上漲逾35%,原因是該公司在設(shè)計和供應(yīng)為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域
- 設(shè)想一下,如果沒有了智能手機、電腦或互聯(lián)網(wǎng),世界會變成怎樣?顯而易見,缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而,如果沒有半導(dǎo)體作為推動眾多科技發(fā)展的引擎,世界無疑便會陷入無法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見,但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時至今日,半導(dǎo)體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心,芯片可謂是推動科技發(fā)展背后的隱藏力量,然而很少有人目睹這些先進設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域,本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地,并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 2024年9月26日,SK海力士宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB(千兆字節(jié))容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品,繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。 SK海力士強調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E), 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品,不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求,
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux
- 2024年9月23日,SK海力士宣布,公司已將用于優(yōu)化CXL*(Compute Express Link)存儲器運行的自研軟件異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件(HMSDK)*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示:“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目,公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK,其性能已獲得國際認可,并成功應(yīng)用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面,公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可,具有重大意義?!蔽磥?/li>
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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”
- 采用第五代PCIe,較上一代產(chǎn)品性能提高一倍,能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后,將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合,滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域,同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域,鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日,SK海力士宣布,公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(SSD,Solid State Drive)產(chǎn)品“PEB110 E1.S”(以下簡稱 PEB110)。SK海力士表示:“隨著AI時代的全面到
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào):“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?!惫疽?b DRAM
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自動駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E
- 8月15日消息,日前,SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露,公司已經(jīng)開始將HBM引入汽車半導(dǎo)體,Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示,目前,汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5,HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測表示,當(dāng)自動駕駛L3、L4級普及時,對HBM的需求將迅速增加,更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關(guān)重要,HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB,能夠滿足要求。根據(jù)外媒報道,SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購
- 關(guān)鍵字: HBM2E 自動駕駛 SK海力士
三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試,預(yù)計今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E(24GB)樣品,不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱,已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到,三星的HBM3E很快會獲得認證,將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道,三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目,這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議,但是問題不大,預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是,三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
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sk海力士介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sk海力士的理解,并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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