sk海力士 文章 進入sk海力士技術(shù)社區(qū)
爭奪東芝半導體業(yè)務(wù) SK海力士組團作戰(zhàn)
- 群雄逐鹿下，東芝半導體業(yè)務(wù)到底花落誰家?已經(jīng)成為了全世界矚目的焦點。只能說歷時半年多的辛苦斡旋，諸如SK海力士、西部數(shù)據(jù)、富士康等競購方著實有點疲憊。 但值得安慰的是，這宗史上頗具爭議的交易案，到了明日也就是6月15日，終于要見分曉了。這就好比馬拉松比賽，之前所做的一切努力都只是開胃小菜，而最后階段能否成功沖刺保持領(lǐng)先地位或是成功逆襲，才是取得最后勝利的關(guān)鍵所在。 參與的競購者中，SK海力士無疑是最拼命一個。如今又有新消息傳出，據(jù)國外媒體報道，日本政府正組建一個由日本、韓國、美國三方組成的
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2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉(zhuǎn)進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場
- 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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東芝半導體最強買家：“日美同盟”浮出水面
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，圍繞東芝半導體計劃出售的存儲器業(yè)務(wù)，美國投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts)和日本官民合資基金產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)將攜手參與招標手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實力，圍繞東芝潛力業(yè)務(wù)的招投標預計以這兩家公司為核心推進?，F(xiàn)有投標企業(yè)也在摸索合作，日美基金聯(lián)盟的凝聚力正在提高。二次招標預計進行到5月中旬，各公司的意圖仍處在相互交錯的狀態(tài)。 “日美同盟”浮出水面 作為世界最大規(guī)模并購基金的
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傳三星、SK海力士研發(fā)EMI屏蔽技術(shù)
- 封測廠當心!韓國存儲器大廠三星電子和SK海力士，研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMIshielding)技術(shù)，打算自行吃下此一封裝程序，省下外包費用。 韓媒Investor和etnews5日報導，去年蘋果iPhone7芯片開始采用電磁波屏蔽技術(shù)，當時韓廠選擇把此一封裝程序外包。如今消息人士透露，三星電子和SK海力士都研發(fā)出涂布式技術(shù)，比傳統(tǒng)方法更有投資效益、成本也有優(yōu)勢，兩廠正在試產(chǎn)，預計6月起與產(chǎn)線整合。 不具名的內(nèi)情人士說，韓廠克服困難，研
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時還
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時還
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圖謀入主東芝半導體 SK海力士備重金
- SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導體事業(yè)部的競爭即將進入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評價。 據(jù)韓媒MoneyToday報導，東芝為了彌補核能事業(yè)虧損，日前已決定全數(shù)出售半導體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價再加20～30%的經(jīng)營權(quán)移轉(zhuǎn)貼水，總規(guī)模應(yīng)在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國購并史上的最高紀錄。 市調(diào)機構(gòu)IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導體產(chǎn)業(yè)營利有望破256億美元
- 據(jù)海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導的韓國半導體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀錄。 韓國半導體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀錄，主要受惠于存儲器價格快速上揚，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續(xù)增長。因此，預估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當年半導體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長階段。 據(jù)券商及半導體業(yè)預估，三星光是在2017年的半導體業(yè)務(wù)營業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望
- 眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。 尤其是對美光來說，在現(xiàn)狀和未來的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：
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