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          SK海力士計(jì)劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

          •   繼三星之后,SK 海力士計(jì)劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM,在 1x DRAM 開發(fā)完成后,SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM,并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。   來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號(hào)設(shè)為 Alius,已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣,正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。   半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序,在通過客戶測(cè)試后,產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報(bào)
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          SK 海力士計(jì)劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

          •   繼三星之后,SK 海力士計(jì)劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM,在 1x DRAM 開發(fā)完成后,SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM,并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。   來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號(hào)設(shè)為 Alius,已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣,正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。   半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序,在通過客戶測(cè)試后,產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報(bào)
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          SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾

          •   隨著2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應(yīng)用比重將挑戰(zhàn)40%,全球儲(chǔ)存領(lǐng)域異業(yè)整合風(fēng)潮將邁向另一個(gè)高峰,繼硬碟龍頭廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲(chǔ)器大廠閃迪(SanDisk),近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司,專攻企業(yè)云端SSD市場(chǎng),成為握有HDD和SSD兩大儲(chǔ)存產(chǎn)品的新陣營,挑戰(zhàn)既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel),未來云端SSD可望是NAND
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          傳希捷與SK海力士結(jié)盟 全球存儲(chǔ)器版圖將大變革?

          • 硬盤大廠爭(zhēng)相與Flash廠商結(jié)盟,全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
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          SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證,最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片,3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。   業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術(shù)瓶頸,SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  NAND   

          SK海力士:10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。   SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
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          SK海力士:10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。   SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          SK海力士全力發(fā)展CIS、PMIC及DDIC事業(yè)

          •   傳聞2017年SK海力士(SK Hynix)將在利川12吋晶圓廠(M10)量產(chǎn)1,300萬畫素CMOS影像感測(cè)器(CIS),并減少清州8吋晶圓廠(M8) 的低畫素CIS產(chǎn)量,M8廠空出的產(chǎn)能將進(jìn)行代工生產(chǎn)顯示器驅(qū)動(dòng)IC(DDIC)、電源管理IC(PMIC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體,全力發(fā)展非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體事業(yè)。   據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo),SK海力士的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展方向日前定案,已進(jìn)入執(zhí)行階段;SK海力士并以45億韓元(約397萬美元)向子公司Silicon File取得相關(guān)資產(chǎn)設(shè)備。Silicon F
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  CIS  

          SK海力士Q3獲利勝預(yù)期,看好第四季存儲(chǔ)器市況

          •   韓國第二大存儲(chǔ)器廠SK 海力士周二公布第三季獲利盡管大減近五成,但仍優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,激勵(lì)股價(jià)盤中走揚(yáng)。   海力士7-9月營業(yè)利潤賺進(jìn)7,259億韓圈(6.41億美元),雖然較去年同期降低47.5%,但高于路透社調(diào)查預(yù)估的6,720億韓圈。如與前季相比,營業(yè)利潤跳增60.3%,較能反映存儲(chǔ)器近期價(jià)格回漲。 當(dāng)季營收來到4.2兆韓圈,較去年同期衰退13.8%。受財(cái)報(bào)利多消息激勵(lì),海力士早盤于韓股盤中勁揚(yáng)3.11%、暫報(bào)41,400韓圈,今年迄今累計(jì)漲幅達(dá)34.8%。   海力士在聲明稿上表示,電腦存儲(chǔ)
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  存儲(chǔ)器  

          SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類人腦半導(dǎo)體元件

          •   SK海力士(SK Hynix)與美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作,將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件,期盼能提升巨量資料(Big Data)的運(yùn)算速度,加速人工智能(AI)時(shí)代來臨。   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),日前SK海力士與美國史丹佛大學(xué)簽約,將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項(xiàng)研究計(jì)劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  半導(dǎo)體  

          存儲(chǔ)器市場(chǎng)還能熱多久?SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%?

          •   據(jù)海外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)器價(jià)格超夯,今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂觀,預(yù)言還有20%上行空間。   巴倫(Barronˋs)14日?qǐng)?bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格上漲,帶動(dòng)SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估,第三季DRAM價(jià)格將季增9%,第四季價(jià)格可能會(huì)再飆將近30%。有鑒于此,摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計(jì),SK海力士股價(jià)可望續(xù)漲20%。   大摩報(bào)告稱,時(shí)序邁向Q4,DRAM和NAND價(jià)格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期,也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  存儲(chǔ)器  

          居全球第六大 SK海力士積極擴(kuò)展CIS事業(yè)

          •   據(jù)海外媒體報(bào)道,SK海力士(SK Hynix)計(jì)劃在韓國利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出,SK海力士將能強(qiáng)化自家CIS事業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,并有望在目前正在更迭的市場(chǎng)版圖上取得甜頭。   韓媒ETNews報(bào)導(dǎo)指出,SK海力士此舉代表著,想要正式挑戰(zhàn)非存儲(chǔ)器市場(chǎng)的企圖心。過去這段期間,SK海力士不斷苦惱著,在利川12吋新廠M14啟動(dòng)后,該如何使用M10廠。因?yàn)槿绻麑10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14,M10里的產(chǎn)線將會(huì)閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過,M10之后可
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  CIS  

          SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

          • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運(yùn),事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,而SK海力士
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

          第二季全球DRAM產(chǎn)值成長9% 韓商稱霸

          • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示, 2014年第二季全球 DRAM 產(chǎn)值達(dá)108億美元,較上季成長9%。由于產(chǎn)品比重調(diào)配得宜,三
          • 關(guān)鍵字: 第二季  全球  三星  SK海力士   

          SK海力士與東芝和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力

          • 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù),同時(shí)東芝也撤銷對(duì)SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  東芝   
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          sk海力士介紹

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