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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場景應(yīng)用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術(shù)，可為在低光或無光環(huán)境中運行的應(yīng)用提供新的可能性，同時降低總功耗
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意法半導(dǎo)體為MCU開啟FD-SOI時代
- 意法半導(dǎo)體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化，并將此技術(shù)應(yīng)用在通用32位MCU市場領(lǐng)先的STM32系列MCU產(chǎn)品。
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SOI芯片熱潮再起，中國市場信心大增
- 受到美國政府的干擾，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當(dāng)先進(jìn)制程工藝演進(jìn)到 10nm 時，當(dāng)時昂貴的價格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實際應(yīng)用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動智能功率器件創(chuàng)新
- 混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設(shè)計如今廣受關(guān)注，一個重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于更常見的內(nèi)燃機汽車。汽車應(yīng)用 48V 電網(wǎng)48V 系統(tǒng)有何獨特之處？與在常規(guī)的供電條件下一樣，48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎(chǔ)物理學(xué)規(guī)律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結(jié)合，但電勢差（損耗）隨電流
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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攻克復(fù)雜性障礙：下一代 SOI 天線調(diào)諧
- 過去十年，天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計靈活性，并大幅改善了性能。復(fù)雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產(chǎn)品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設(shè)備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設(shè)備使得天線更加復(fù)雜。對于工程師而言，這種復(fù)雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術(shù)開發(fā)工程師每推出一代新技術(shù)，都會做出漸進(jìn)式改進(jìn)，通過這種持續(xù)改善來幫
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)攝像機(IPC)方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò)攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動了智能監(jiān)控技術(shù)的革新，也驅(qū)動了IPC（網(wǎng)絡(luò)攝像機）的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網(wǎng)絡(luò)輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
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ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
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意法半導(dǎo)體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠，推進(jìn) FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
- ·????? 隨著世界經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化和脫碳轉(zhuǎn)型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導(dǎo)體針對汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用開發(fā)的節(jié)點低至18納米的全面技術(shù)·????? 預(yù)計該項合作投資金額達(dá)數(shù)十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
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CEA、Soitec、格芯、意法半導(dǎo)體攜手推動下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃
- CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導(dǎo)體宣布一項新合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體組件和FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設(shè)計人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯(lián)機和安全保護(hù)，這對汽車、物聯(lián)網(wǎng)和行動應(yīng)用而言，其優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個重要特質(zhì)。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來，在Grenoble-Crolles生態(tài)系統(tǒng)中，CEA一
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田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真
- 介紹了一種田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經(jīng)過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計，有效避免了平面內(nèi)和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設(shè)計，理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結(jié)合理論分析和ANSYS仿真結(jié)果，可以得出結(jié)論：所設(shè)計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領(lǐng)域有一定的應(yīng)用前景。
- 關(guān)鍵字： 微加速度計 SOI 交叉軸干擾 靈敏度
Soitec以新技術(shù)為自動駕駛發(fā)展保駕護(hù)航
- 作為一家設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來助力整個信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新，通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn)，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用，可以說Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當(dāng)然，“幕后英雄”也因為其先進(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
- 關(guān)鍵字： Soitec RF-SOI FD-SOI
格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，未來將長期供應(yīng)12英寸SOI晶圓
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負(fù)責(zé)對格芯12英寸晶圓的長期供應(yīng)。 環(huán)球晶圓是全球領(lǐng)先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應(yīng)商，雙方長期保持著良好的合作關(guān)系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商，基于雙方未來發(fā)展與穩(wěn)定供應(yīng)需求，環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作，有力擴大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
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soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SO [ 查看詳細(xì) ]
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