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Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng)新藍(lán)圖
- 全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國市場的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導(dǎo)體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會(huì)影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對(duì)小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)
- 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？
- 身為記者，我有時(shí)候會(huì)需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評(píng)論、隨機(jī)事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì)/座談會(huì)資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個(gè)例子。 我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機(jī)
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Peregrine半導(dǎo)體公司在大中華市場推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器
- Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的奠基者和先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個(gè)90度混合分離器、移相器、數(shù)字步進(jìn)衰減器以及一個(gè)數(shù)字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調(diào)諧靈活性極強(qiáng)，對(duì)于兩路動(dòng)態(tài)負(fù)載調(diào)制放大器結(jié)構(gòu)，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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華虹半導(dǎo)體推出0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)工具包
- 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設(shè)計(jì)工具包(Process Design Kit，PDK)。這標(biāo)志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺(tái)已成功通過驗(yàn)證，并正式投入供客戶設(shè)計(jì)開發(fā)使用。工藝設(shè)計(jì)工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質(zhì)量射頻器件的設(shè)計(jì)與流片。 華虹半導(dǎo)體的0.2微米SOI工藝平臺(tái)是專為無線射頻前端開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報(bào)告
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告(Sustainability Report)。意法半導(dǎo)體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告內(nèi)容全面地介紹意法半導(dǎo)體在2013年實(shí)施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng)造價(jià)值。 意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導(dǎo)體在很早之前就認(rèn)識(shí)到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略的
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 FD-SOI 可持續(xù)發(fā)展
Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端
- Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人、先進(jìn)的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個(gè)可重構(gòu)射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺(tái)的設(shè)計(jì)──?
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soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說SO [ 查看詳細(xì) ]
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