soi介紹
SOI(Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的硅)技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜,SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點:可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離,徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng);采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢,因此可以說SO [ 查看詳細(xì) ]
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