- 早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能,就差合肥團隊還未有相關消息,現在相關招募信息與環(huán)評結果曝光,也透露更多發(fā)展信息。
中國發(fā)展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。
合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
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長江存儲 Flash
- 摘要 針對目前各地用電及收費管理不便的問題,文中研究了基于ARM和以太網的遠程電參數測量技術。該技術主要用于對電參數的采集和存貯。主控制器采用32位的ARM微處理器STM32F103V,接口硬件設計配合上位機顯示電參數
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ARM 以太網 電參數 SPI LabVIEW DataSocket
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
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Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
- 真實世界的應用需要真實世界的物理連接,一般來說,這意味著模擬信號要在系統(tǒng)內的某處被數字化處理,以便于微處理器、ASIC或FPGA采集數據并做出決策?;具x用標準當選擇一款模擬數字轉換器(ADC)時,大多數設計師似
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模數轉換器 SPI ASIC ADC
- 摘要:文中詳細描述了TMS320C6727DSP兩種引導方式,并給出了在工程應用的實現方法。這兩種方法都避免了在設計過程中使用外部程序存儲芯片,節(jié)約了布線空間和設計成本。在引導過程中,主機能夠驗證寫入DSP芯片的數據,
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DSP HPI SPI 引導
- 隨著嵌入式系統(tǒng)產品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 錫膏印刷在無鉛制造質量中發(fā)揮著關鍵作用,為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關鍵的基礎。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關問題,根據錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產線最終質量的影響是至關重要
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SPI 無鉛 缺陷 制造
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。
要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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Nand Flash 寄存器
- 針對某X射線探測器輸出信號增益需不斷調節(jié)以滿足后續(xù)信號采集電路的輸入范圍,其偏置電壓需要精細調節(jié),文章采用數字電位計和FPGA設計了X射線探測器偏置電壓調節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數字電位計的參數、特點及內部結構,在此基礎上給出了系統(tǒng)的設計方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對數字電位計進行配置實現電阻100KΩ共256檔的調節(jié),最終給出實際測試結果,驗證了采用數字電位計實現偏壓調節(jié)的靈活性。
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X射線探測器 反向偏壓調節(jié) 數字電位計 SPI FPGA
- 前些天,有位網友談到通過FPGA來實現SPI通訊。通過帖子的回復發(fā)現好多網友對SPI通訊還有些疑惑,于是今天就帶著大家從SPI的標準協(xié)議,SPI在STM32單片機上的配置及在74HC595邏輯芯片通訊的實例來全方面認識一下這個既
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STM32 SPI
- 摘要在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備E
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MSP430G 單片機 Flash
- FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,FLASH的電路結構較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構,現在已基本上停產了。
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單片機 flash eeprom
- 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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Flash NAND 扇區(qū)管理
- JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數表的結構、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
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JEDEC Flash JESD
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