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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

          一種UART&SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 一種UART&SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),摘要:隨著WLAN(無線局域網(wǎng))的普及,各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮,像UART,SPI,USB等。為了驗(yàn)證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求,在此提出了一種支持UARTSPI接口的驗(yàn)證工具。傳統(tǒng)的接口驗(yàn)證采用手動(dòng)驗(yàn)證的方
          • 關(guān)鍵字: UART  SPI  接口驗(yàn)證  自動(dòng)化  

          TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

          • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要 為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式,以及一種無需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例,同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
          • 關(guān)鍵字: DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

          SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驅(qū)動(dòng)

          •   所有的FLASHA 都一樣只能從1變0,要想從0變1 只有擦除一個(gè)頁扇, SST25VF080B 最小可以擦除4KB的頁 速度也不錯(cuò) 50MHz 容量1MB 挺夠用的 10萬次的擦寫壽命。最低2.7V 就可正常工作。   Flexible Erase Capability   – Uniform 4 KByte sectors   – Uniform 32 KByte overlay blocks   – Uniform 64 KByte overlay b
          • 關(guān)鍵字: STM32  SPI  

          三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
          • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

          • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計(jì)  FlaSh  DSP  

          串行外設(shè)接口(SPI)總線時(shí)序詳解

          • SPI,是一種高速的,全雙工,同步的通信總線,并且在芯片的管腳上只占用四根線,節(jié)約了芯片的管腳,同時(shí)為PCB的布局上節(jié)省空間,提供方便,正是
          • 關(guān)鍵字: 串行外設(shè)接口  SPI  總線時(shí)序  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

          • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì)

          • 基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì), 目前常見的干擾機(jī)一般都采用上位機(jī)作為控制單元,優(yōu)點(diǎn)是接口和整個(gè)單元開發(fā)均較為方便,但缺點(diǎn)是無法脫離計(jì)算機(jī)獨(dú)立工作。本文采用ARM及大尺寸觸摸屏作為平臺(tái)開發(fā)的分布式干擾機(jī)控制單元,ARM與干擾機(jī)可集成為一體,
          • 關(guān)鍵字: ARM  分布式干擾機(jī)  Fedora  SPI  Qt  

          NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

          東芝跑第一,64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

          •   據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商,不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖),且開始進(jìn)行送樣。   東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨,且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
          • 關(guān)鍵字: 東芝  Flash   

          全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng)   在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲(chǔ)器  

          全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng)   在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲(chǔ)器  

          中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

          • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類,國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況,及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  
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          spi nor flash介紹

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