spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)
NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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串行外設(shè)接口(SPI)總線時(shí)序詳解
- SPI,是一種高速的,全雙工,同步的通信總線,并且在芯片的管腳上只占用四根線,節(jié)約了芯片的管腳,同時(shí)為PCB的布局上節(jié)省空間,提供方便,正是
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基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì)
- 基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì), 目前常見的干擾機(jī)一般都采用上位機(jī)作為控制單元,優(yōu)點(diǎn)是接口和整個(gè)單元開發(fā)均較為方便,但缺點(diǎn)是無法脫離計(jì)算機(jī)獨(dú)立工作。本文采用ARM及大尺寸觸摸屏作為平臺(tái)開發(fā)的分布式干擾機(jī)控制單元,ARM與干擾機(jī)可集成為一體,
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn),他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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東芝跑第一,64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商,不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖),且開始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨,且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列,也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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spi nor flash介紹
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