sram 文章 進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)
ATmegal28擴(kuò)展512KB掉電保護(hù)SRAM方案
- 如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機(jī)已廣泛地應(yīng)用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機(jī)器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價(jià)格低廉。在單片機(jī)的某些應(yīng)用中，如果不對系統(tǒng)的外部SRAM進(jìn)行擴(kuò)展，就不能滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。因此如何擴(kuò)展、擴(kuò)展什么類型的芯片、擴(kuò)展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個(gè)問題解決的好與壞直接關(guān)系到項(xiàng)目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。 1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)
- 關(guān)鍵字： ATmegal28 SRAM
TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計(jì)
- 基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。 目前實(shí)現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進(jìn)行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機(jī)上運(yùn)行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會(huì)丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)加載。 后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個(gè)月)，使F
- 關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA
鐵電存儲器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬
- 鐵電存儲器同時(shí)具備可存儲大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì)消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲容量，因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM NVM 存儲器
基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)
- 針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。 與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術(shù)使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
- 關(guān)鍵字： DBL 嵌入式系統(tǒng) SRAM 低功耗 嵌入式
用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法，并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。 關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM） 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA） 加密 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆
- 關(guān)鍵字： 靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM） 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) SRAM FPGA 加密 嵌入式
揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。經(jīng)測試證實(shí)，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計(jì)，一個(gè)元
- 關(guān)鍵字： SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
- 關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機(jī) 加密 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM
- 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲分配器。 如今，人們對所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計(jì)來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加，需要采用包
- 關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲器 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 存儲器
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]
sram電路
sram相關(guān)帖子
sram資料下載
sram專欄文章
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473