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基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)
- 交換矩陣是核心路由器的重要組成部分，為了避免來(lái)自不同輸入端口的信元同時(shí)發(fā)往同一個(gè)輸出端口，需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū)，即輸入排隊(duì)交換結(jié)構(gòu)?；陟o態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊(duì)列(VOQ)的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)可以降低核心路由器交換芯片的面積，提高輸入端口緩沖區(qū)信元的響應(yīng)速率，并通過(guò)DE-115開發(fā)板完成對(duì)設(shè)計(jì)的驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字： 交換矩陣 輸入端口 VOQ SRAM
東芝開發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機(jī)
- 東芝公司已經(jīng)宣布了一項(xiàng)新的突破，應(yīng)用于嵌入式硬件的智能手機(jī)和移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個(gè)新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長(zhǎng)智能手機(jī)和其他設(shè)備的電池壽命。東芝表示，新的技術(shù)通過(guò)功率計(jì)算器和數(shù)字化控制減少設(shè)備運(yùn)行溫度從常溫到高溫時(shí)的損耗，以路的主電源和備用電源的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。 在25°C，這項(xiàng)新技術(shù)在設(shè)備運(yùn)行時(shí)可節(jié)省約85%的損耗，而在設(shè)備待機(jī)時(shí)間可以節(jié)省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上展示這項(xiàng)新技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 東芝 嵌入式 SRAM
基于CMOS圖像傳感器的視頻采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 提出了一種采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作為主控芯片，采用OV7670這款CMOS圖像傳感器作為視頻信號(hào)源并采用SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)作為數(shù)據(jù)緩存的實(shí)用方案，實(shí)現(xiàn)了對(duì)圖像傳感器寄存器配置、圖像傳感器輸出信號(hào)采集、圖像數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換、圖像數(shù)據(jù)緩存及最終在VGA顯示器上進(jìn)行圖像顯示的一系列過(guò)程。該視頻采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)能夠很好地滿足實(shí)時(shí)圖像的輸出需求。
- 關(guān)鍵字： 視頻采集 OV7670 FPGA SRAM VGA
SRAM外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)
- 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．掌握89C51單片機(jī)擴(kuò)展外RAM的方法2．了解靜態(tài)RAM使用方法二、實(shí)驗(yàn)說(shuō)明MCS-51型單片機(jī)內(nèi)有1 ...
- 關(guān)鍵字： SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)
Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件
- Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過(guò)四路SPI或SQI協(xié)議可實(shí)現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數(shù)據(jù)傳送及零寫入時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： Microchip SRAM
采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)
- 采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì),1 前言 針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。 2 硬件設(shè)計(jì) 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 大容量 FPGA SRAM 采用
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]
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