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          IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用

          • IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。
          • 關(guān)鍵字: V9289  SRAM  IDT    

          德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

          • ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗 日前,麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
          • 關(guān)鍵字: MIT  DARPA  SRAM  德州  存儲器  

          為實(shí)現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)

          • 按慣例,設(shè)計人員總把SRAM 作為其最基本的形式,即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時,設(shè)計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能,但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲器,這就將工作重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了帶寬,而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為:給定時間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬:帶寬=I/O速度
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          支持高性能應(yīng)用的SRAM

          • SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分,它可提高帶寬,從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論,分組處理對內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu),以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點(diǎn)介紹針對網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級 SRAM 架構(gòu)。此外,還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標(biāo)準(zhǔn)。 網(wǎng)
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          共184條 13/13 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

          sram介紹

            SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]

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