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基于國(guó)產(chǎn)龍芯GS32I的小系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)
- 一. 引言 目前，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到各個(gè)領(lǐng)域：工業(yè)控制，軍事國(guó)防，消費(fèi)類電子產(chǎn)品，網(wǎng)絡(luò)通信等，但大部分領(lǐng)域的應(yīng)用都是基于國(guó)外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領(lǐng)域使用國(guó)產(chǎn)芯片，走國(guó)產(chǎn)化道路已經(jīng)成為一個(gè)迫切需要解決的問(wèn)題。目前國(guó)內(nèi)的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥(niǎo)嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點(diǎn)?！ ”驹O(shè)計(jì)采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設(shè)計(jì)如何構(gòu)造一個(gè)小型嵌入式硬件系統(tǒng)，同時(shí)兼顧科研與應(yīng)用兩方面的要求，在該平臺(tái)的基礎(chǔ)上可以連接各
- 關(guān)鍵字： GS32I SRAM
使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第三部分
- 在本系列第二部分，我們探討了總線轉(zhuǎn)換、總線翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗(yàn)等重要的總線問(wèn)題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問(wèn)題，其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址信號(hào)校正和讀寫(xiě)校正，以及糾錯(cuò)碼(ECC)和QDR-IV存儲(chǔ)器控制器的設(shè)計(jì)建議?！ ⌒Ｕ?xùn)練序列 存儲(chǔ)器控制器和QDR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓(xùn)練序列”，它可通過(guò)減少字節(jié)通道之間的偏差擴(kuò)大這個(gè)窗口，從而在控制器讀取存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)時(shí)，增加時(shí)序余量。校正訓(xùn)練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第二部分
- 總線轉(zhuǎn)換的注意事項(xiàng) 總線轉(zhuǎn)換時(shí)間非常重要，其決定了讀和寫(xiě)指令間是否需要額外的間隔來(lái)避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線沖突。 想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫(xiě)指令和讀指令。從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化寫(xiě)指令周期相對(duì)應(yīng))算起，在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫(xiě)數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個(gè)周期發(fā)送，因?yàn)?nbsp;DQ從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化讀指令的周期相應(yīng))算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第一部分
- 流媒體視頻、云服務(wù)和移動(dòng)數(shù)據(jù)推動(dòng)了全球網(wǎng)絡(luò)流量的持續(xù)增長(zhǎng)。為了支持這種增長(zhǎng)，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬(wàn)個(gè)數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)包的到達(dá)順序是隨機(jī)的，且每個(gè)數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個(gè)存儲(chǔ)動(dòng)作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問(wèn)數(shù)億萬(wàn)次存儲(chǔ)器，才能在轉(zhuǎn)發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)?！ ?shù)據(jù)包速率與隨機(jī)存儲(chǔ)器訪問(wèn)速率成正比。如今的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要具有很高的隨機(jī)訪問(wèn)速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)流量。其中，RTR是衡量存儲(chǔ)器可以執(zhí)行的完全隨機(jī)存儲(chǔ)(讀或?qū)?的次數(shù)，即隨機(jī)存儲(chǔ)速
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
基于QDR-IV SRAM實(shí)現(xiàn)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 在過(guò)去40年里，隨著制造工藝的進(jìn)步，各種專用存儲(chǔ)設(shè)備不斷推向市場(chǎng)，滿足著不同系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求。眾多的選擇，意味著系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者可以同時(shí)考慮多種方案，根據(jù)應(yīng)用選擇合適的存儲(chǔ)子系統(tǒng)。尤其是在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用方面，架構(gòu)師面臨著不斷增加的網(wǎng)絡(luò)流量所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。 據(jù)估計(jì)，2015年到2020年期間，網(wǎng)絡(luò)流量的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到22%，這一增長(zhǎng)主要來(lái)自于無(wú)線設(shè)備的爆炸式增長(zhǎng)以及不斷增加的視頻用量。由于數(shù)據(jù)包處理的隨機(jī)性，網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)年P(guān)鍵—路由器和交換機(jī)的性能將和所使用的存儲(chǔ)子系統(tǒng)的隨機(jī)存取性能(以隨機(jī)存取
- 關(guān)鍵字： MAC SRAM
STM32硬件調(diào)試詳解
- STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個(gè)部分： 一、電源 1)、無(wú)論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空; 2)、對(duì)于每組對(duì)應(yīng)的VDD和GND都應(yīng)至少放置一個(gè)104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應(yīng)放置盡量靠近MCU; 3)、用萬(wàn)用表測(cè)試供電電壓是否正確。調(diào)試時(shí)最好用數(shù)字電源供電，以便過(guò)壓或過(guò)流燒壞板子。電壓最好一步一步從進(jìn)線端測(cè)試到芯片供電端?！ 《?fù)位、啟動(dòng)選擇 1)、Boot引腳與JTAG無(wú)
- 關(guān)鍵字： STM32 SRAM
SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用
- 上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來(lái)“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一
- 關(guān)鍵字： 可穿戴設(shè)備 物聯(lián)網(wǎng) SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]
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