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ST與Sierra Wireless合作簡化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)方案部署

意法半導(dǎo)體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案，簡化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備部署。該協(xié)議可協(xié)助開發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設(shè)計研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò)安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機(jī)，以加速產(chǎn)品上市。意法半導(dǎo)體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)

ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實(shí)際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時就開始這樣做了。這個理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應(yīng)各種環(huán)境和社會挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動各種可持續(xù)發(fā)展行動創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問了意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對
關(guān)鍵字： ST 可持續(xù)發(fā)展碳中和

Rosenberger與ST合作開發(fā)獨(dú)特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備的超可靠近距離點(diǎn)對點(diǎn)全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導(dǎo)體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動、震動、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導(dǎo)致聯(lián)機(jī)故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍(lán)牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。Rosenberg
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼。基本上半導(dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎長跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時／
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意法半導(dǎo)體發(fā)布面向高性能汽車應(yīng)用的下一代MEMS加速度計

意法半導(dǎo)體 AIS2IH三軸線性加速度計為汽車防盜、遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂、傾斜/側(cè)傾測量、車輛導(dǎo)航等非安全性汽車應(yīng)用帶來更高的測量分辨率、溫度穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度，還為性能要求很高的新興汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用鋪平了道路。借助意法半導(dǎo)體在MEMS技術(shù)和汽車技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，AIS2IH具有市場領(lǐng)先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內(nèi)提供高性能的運(yùn)動測量功能。此外，新加速度計采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價具有極高的市場競爭力。新產(chǎn)品有五個不同的工作模式：一個高性能模式(
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)

預(yù)計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模迅速擴(kuò)展，而亞太地區(qū)電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。意法半導(dǎo)體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場／應(yīng)用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預(yù)計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模將從2020年估計的2,115,000個成長至30,758,000個，復(fù)合年均成長率高達(dá)46.6%。該報告的基準(zhǔn)年為2019年，預(yù)測期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來看，亞太地區(qū)（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場
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意法半導(dǎo)體和OQmented聯(lián)合研制、銷售先進(jìn)的MEMS微鏡激光束掃描解決方案

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)與專注于MEMS[1]微鏡技術(shù)的深度科技創(chuàng)業(yè)公司OQmented，宣布合作推動MEMS微鏡技術(shù)在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR) 和3D感測市場的發(fā)展。雙方合作旨在利用兩家公司的專業(yè)知識，推動MEMS微鏡激光束掃描(LBS)解決方案市場領(lǐng)先背后的技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的MEMS器件廠商，設(shè)計、制造和銷售各種MEMS傳感器、致動器，以及相關(guān)組件，包括驅(qū)動器、控制器和激光二極管驅(qū)動器，為此次合作貢獻(xiàn)其龐大的
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ST聯(lián)手中國一拖建立智能農(nóng)業(yè)裝備開發(fā)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

　　半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體與中國農(nóng)業(yè)工程機(jī)械行業(yè)龍頭企業(yè)中國一拖集團(tuán)有限公司(中國一拖)共同宣布，雙方將在位于河南省洛陽市的中國一拖技術(shù)中心智能信息化研究院設(shè)立一家聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，專注于研發(fā)拖拉機(jī)的發(fā)動機(jī)、整車和農(nóng)具控制系統(tǒng)的電子解決方案?！　‰S著自動化控制技術(shù)的迅速發(fā)展，以及國內(nèi)和全球排放法規(guī)擴(kuò)大到非道路柴油發(fā)動機(jī)，電子控制系統(tǒng)在拖拉機(jī)市場的滲透率正日漸提高。在此背景下，中國一拖與意法半導(dǎo)體決定開展合作，整合雙方互補(bǔ)的優(yōu)勢專業(yè)知識，滿足政府要求及行業(yè)需求。　　中國一拖技術(shù)中心智能信息化研究院專攻拖拉機(jī)、收割
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意法半導(dǎo)體與A*STAR和ULVAC攜手合作，在新加坡成立世界首個“Lab-in-Fab”實(shí)驗(yàn)室，推進(jìn)壓電式MEMS技術(shù)應(yīng)用

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于日前宣布，與新加坡A * STAR IME研究所和日本領(lǐng)先的制造工具供應(yīng)商ULVAC合作，在意法半導(dǎo)體新加坡晶圓廠內(nèi)聯(lián)合創(chuàng)辦一條以壓電式MEMS技術(shù)為重點(diǎn)研究方向的8英寸(200mm)晶圓研發(fā)生產(chǎn)線。這個全球首創(chuàng)的“Lab-in-Fab”研發(fā)生產(chǎn)線整合三個合作方在壓電材料、壓電式MEMS技術(shù)和晶圓制造工具領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和優(yōu)勢互補(bǔ)的研
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意法半導(dǎo)體收購兩家公司

據(jù)悉，意法半導(dǎo)體（ST）已簽署兩項(xiàng)并購協(xié)議，涉及收購超寬帶（UWB）專家BeSpoon的全部股本，以及Riot Micro的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)連接資產(chǎn)。在完成兩項(xiàng)交易（尚需獲得常規(guī)監(jiān)管批準(zhǔn)）之后，意法半導(dǎo)體將進(jìn)一步加強(qiáng)其無線連接功能，特別是其STM32微控制器和安全MCU。BeSpoon總部位于法國Le Bourget du Lac，是一家成立于2010年的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，專門研究超寬帶通信技術(shù)。他們的技術(shù)可以在不利條件下的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)厘米級精度的安全實(shí)時室內(nèi)定位。這項(xiàng)重要的安全定位技術(shù)與STM32產(chǎn)品組合的集
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采用分布統(tǒng)計算法 ST最新ToF 提供多目標(biāo)測距功能

出貨量逾10億的飛行時間（Time-of-Flight；ToF）解決方案供貨商意法半導(dǎo)體，推出采用分布統(tǒng)計算法專利的新產(chǎn)品VL53L3CX，進(jìn)一步擴(kuò)大其FlightSense ToF測距傳感器的產(chǎn)品范圍。新產(chǎn)品可以測量多個目標(biāo)的距離，而且測距準(zhǔn)確度更高。VL53L3CX的測距范圍為2.5公分至3公尺，相較于傳統(tǒng)紅外傳感器，測量準(zhǔn)確度不受目標(biāo)物體的顏色影響，使終端產(chǎn)品設(shè)計人員能夠在產(chǎn)品中導(dǎo)入強(qiáng)大的新功能，例如，使占用傳感器能夠忽略不需要的背景或前景物體，提供正確無誤的占用狀態(tài)探測，或者在傳感器視野范圍內(nèi)以及
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“新基建”賦能車聯(lián)網(wǎng)，構(gòu)建新出行時代“第三生活空間”

有著中國電子行業(yè)風(fēng)向標(biāo)之稱的2020年慕尼黑上海電子展即將于7月3-5日在國家會展中心（上海）盛大召開，四展聯(lián)動，預(yù)計展出近160,000平米總面積以及近3,000家參展商齊聚現(xiàn)場。2020年慕尼黑上海電子展將全方位聚焦包括智慧出行在內(nèi)的多個行業(yè)熱點(diǎn)，并將從它們出發(fā)，開辟各類精彩專題活動，為業(yè)內(nèi)人士提供行業(yè)資訊以及前沿技術(shù)發(fā)展趨勢！實(shí)名制認(rèn)證+線上預(yù)約，安全觀展響應(yīng)國家防控號召，本屆慕尼黑上海電子展實(shí)名預(yù)登記系統(tǒng)新升級上線！掃描二維碼或前往官網(wǎng)進(jìn)行預(yù)登記 ① 請您憑真實(shí)、有效個人身份證信息參與預(yù)登記，提前
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使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率

本文將強(qiáng)調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT