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super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。 C6系列是英飛凌推
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飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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TI 推出一款同步 MOSFET 半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。 NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對(duì)M
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。 MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設(shè)備(PSE)控制器
- Maxim推出單端口、供電設(shè)備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用。器件集成導(dǎo)通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測(cè)電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠?yàn)镮P電話、IP照相機(jī)、無(wú)線LAN接入點(diǎn)以及視頻監(jiān)控照相機(jī)等用電設(shè)備(PD)提供每端口高達(dá)40W的功率。 MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)
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基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
- 用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET - 關(guān)鍵字： 考量 設(shè)計(jì) MOSFET 功率 基于
Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率
- 引言 通信電路板常常采用負(fù)載點(diǎn)(PoL)DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個(gè)48V的背板采用中間總線架構(gòu)(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負(fù)載點(diǎn)(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個(gè)分立式PoL，該P(yáng)oL是以分立的方式使用控制器、驅(qū)動(dòng)器和MOSFET。由于該方案需要額外的設(shè)計(jì)和制造時(shí)間，故半導(dǎo)體供應(yīng)商目前開始轉(zhuǎn)而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時(shí)間，減小PCB空間，并使終端應(yīng)用達(dá)到更高的效率水平。本
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英飛凌第二財(cái)季扭虧為盈 凈利潤(rùn)1.042億美元
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財(cái)報(bào)顯示，結(jié)束于3月份的本財(cái)年第二財(cái)季凈利潤(rùn)為7900萬(wàn)歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財(cái)季營(yíng)收為 10億歐元，同比增長(zhǎng)55%。 第二財(cái)季凈利潤(rùn)好于分析師預(yù)期，營(yíng)收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計(jì)，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤(rùn)7130萬(wàn)歐元。第二財(cái)季為英飛凌連續(xù)第三季度實(shí)現(xiàn)盈利，而在那之前10個(gè)季度該公司累計(jì)虧損額高達(dá)39億歐元。 英飛凌上調(diào)了
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