super junction mosfet 文章進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿(mǎn)足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱(chēng)MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶(hù)將從功
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET 飛兆半導(dǎo)體

Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器

　　Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過(guò)載故障和/或輸出過(guò)壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)應(yīng)用包括：蜂窩電話(huà)、MID (移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、電子書(shū)及其它外掛配件的便攜設(shè)備。　　MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預(yù)置門(mén)限之間選擇，反向限流值設(shè)置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無(wú)鉛封裝，工作在-
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 過(guò)流保護(hù)器

NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車(chē)功率MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝)全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。　　隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求，汽車(chē)
關(guān)鍵字： NXP MOSFET LFPAK

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿(mǎn)足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱(chēng)、單一n溝道MOSFET。　　飛兆半
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET DC-DC

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿(mǎn)足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱(chēng)、單一n溝道MOSFET。　　飛兆半
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

今年二季度半導(dǎo)體元件價(jià)格漲幅將超10%

　　據(jù)來(lái)自IC分銷(xiāo)渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行，預(yù)計(jì)短期內(nèi)這種情況不會(huì)得到緩解。　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，消息人士指出，預(yù)計(jì)在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價(jià)格漲幅將超過(guò)10%。在第一季度中，其價(jià)格已經(jīng)平均提高了5-10%。　　另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價(jià)格漲幅最大，在今年余下幾個(gè)月中，
關(guān)鍵字： PWM MOSFET DRAM

設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器

　　準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱(chēng)準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時(shí)導(dǎo)通，從而減小開(kāi)關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號(hào)。　　準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級(jí)電感(Lp)與節(jié)點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 電源適配器 EMI

PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC

　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿(mǎn)足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。　　X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過(guò)濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長(zhǎng)時(shí)間貯存高壓電能，因此會(huì)構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對(duì)這些電容進(jìn)行放電，以便滿(mǎn)足安全要求;但這些電阻會(huì)在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機(jī)輸入功耗的重要因素。　　CAPZero與放電電容串聯(lián)
關(guān)鍵字： PI CAPZero MOSFET

IR 推出新型25V DirectFET 芯片組

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開(kāi)關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開(kāi)
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET 芯片組

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫(kù)侖(nC)、25.6 nC及1
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 肖特基二極管

IR 推出具有低導(dǎo)通電阻的汽車(chē)用 MOSFET 系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開(kāi)關(guān)，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)的其它重載應(yīng)用。　　新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
關(guān)鍵字： IR MOSFET

MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用

　下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選，特征，驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用電路?！?br />　　在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)思慮 M
關(guān)鍵字： MOSFET 利用原理電路驅(qū)動(dòng)

Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線(xiàn)通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
關(guān)鍵字：雪崩能量 UIS MOSFET 功率理解