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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本。” ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器
- Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關(guān)、步進驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動器IC
IR推出增強型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設備的開關(guān)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統(tǒng)便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器
- Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓。控制器還包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器，當筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。 器件采用低邊MOSFET
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
飛兆半導體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅(qū)動器 MOSFET IGBT
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