super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
汽車電子功率MOSFET
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設(shè)計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。 今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 MOSFET 溝道型 功率 解決方案
使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應(yīng)用的高功耗問題
- 對于主板設(shè)計師來說，要設(shè)計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
- 關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件
- 2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。 這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。 這兩種產(chǎn)品具有以下特點。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩科技 MOSFET 無線設(shè)備 發(fā)射器 功率放大器
高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈
- 環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認識到節(jié)能減排提高能效是未來科學技術(shù)活動一項長期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對這項挑戰(zhàn)？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù)，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器件的導通電阻 (
- 關(guān)鍵字： IR 同步降壓 轉(zhuǎn)換器 MOSFET
IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù)，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET
運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)
- 車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。 另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導體場效晶體管（Metal
- 關(guān)鍵字： MOSFET 安全系統(tǒng)
Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器
- Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
- 關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動器 柵極驅(qū)動電流
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計
- 大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
- 關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)
- 電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應(yīng)用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時間長(或動態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時間減小。 采用圖1所示電
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN
選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET
- 對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
- 關(guān)鍵字： POL MOSFET
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