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電磁兼容性(EMC)元件適用于再生式變頻器系統(tǒng)的 LCL 濾波器
- TDK 株式會(huì)社最新推出了適用于再生式變頻器系統(tǒng)的愛普科斯(EPCOS) 高性能 LCL 濾波器 (B84143*405)系列產(chǎn)品。該系列濾波器由一個(gè)電源扼流圈、帶阻尼電阻器的電容器組以及一個(gè) 牢固的扼流圈組成，其濾波器電路能夠大幅減弱時(shí)鐘頻率，完全符合 IEC / TS 62578 標(biāo)準(zhǔn)有 關(guān) EMI 發(fā)射范圍為 9 kHz 至 150 kHz 的設(shè)備的規(guī)定。此外，在再生式變頻器系統(tǒng)中，愛普科 斯 LCL 濾波器還可以顯著降低線側(cè)電流諧波(低于 5%)。最后，在高直流鏈路(DC link)電壓 應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 電磁兼容性 TDK EPCOS
鋁電解電容器緊湊螺釘式系列，超強(qiáng)紋波電流能力
- 2014 年 工業(yè)自動(dòng)化展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK 公司近日發(fā)布了三款新型的愛普科斯 (EPCOS) 螺釘式系列鋁電解電容器。新系列電容器不僅具有超強(qiáng)的紋波電流能力，且尺寸極其緊湊。其中，新 B43703*系列電容器適用額定電壓 范圍為 350 V DC 至 450 V DC，容量范圍為 1,500 μF 至 22,000 μF。與之前系列相比，在相 同的紋波電流能力條件下，新系列電容器的體積可減小達(dá) 20%。新型電容器尺寸極其緊湊，直徑為 51.6 mm 至 90.0 mm，高
- 關(guān)鍵字： 鋁電解電容 TDK 愛普科斯
干掉閃存 下代MRAM首次展示：快7倍
- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)?！ RAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)?！ DK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)
- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
- 關(guān)鍵字： 宜普 EPC MOSFET
Mouser Electronics 榮獲 TDK-Lambda 頒發(fā)的最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)
- 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲 TDK Corporation 旗下的集團(tuán)公司 TDK-Lambda Americas Inc.頒發(fā)的 2013 年度最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)。 本獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰分銷商 Mouser 在2013年協(xié)助 TDK-Lambda 突破業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)和銷售目標(biāo)方面的突出成就。TDK-Lambda 作為領(lǐng)先的工業(yè)電源制造商，致力于為全球工業(yè)領(lǐng)域提供高可靠性產(chǎn)品，Mouser.cn 為您提供了所有這些產(chǎn)品。 Mo
- 關(guān)鍵字： TDK-Lambda Mouser 電源
EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。 增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406
TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列
- 據(jù)悉，TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。 目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí)，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。 因此，考
- 關(guān)鍵字： TDK 閃存 SNG4A
TDK技術(shù)和產(chǎn)品新聞發(fā)布會(huì)期2013
- 近年來(lái)，汽車的電子化進(jìn)程正不斷發(fā)展，隨著越來(lái)越多的電子控制單元(ECU)搭載于發(fā)動(dòng)機(jī)室周圍，這種極端溫度環(huán)境下所使用的電容器要求有很高的耐熱性、可靠性及緊湊性。TDK已擴(kuò)大其MEGACAP類型中的CKG系列積層陶瓷電容器，目前包括了小型尺寸1608~3216(EIA?0603~1206)。而此前積層陶瓷電容器只有3225~5750尺寸(EIA1210~2220)。新的1608組件尺寸只有1.9×1.3×1.5mm3，是世界上最小的車載帶引線框架積層陶瓷電容器。將于2014年4月開始量產(chǎn)?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： TDK MEGACAP 電容器
超小型藍(lán)牙模塊
- ·?最適合可穿戴設(shè)備的世界最小*尺寸4.6?x?5.6?x?1.0mm(TYP) ·?可輕松地與Bluetooth??Smart?Ready兼容產(chǎn)品進(jìn)行通信 ·?以天線分離式擴(kuò)大了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度 2014年2月12日 TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜 健宏)開發(fā)出最適合于今后將會(huì)迅速普及的可穿戴設(shè)備的超小型Bluetooth?模塊(產(chǎn)品名：SESUB-PAN-T2541)，并將從2014年2月起開始量產(chǎn)?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： Bluetooth TYP TDK
EMC對(duì)策元件
- TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平※阻抗值的信號(hào)傳輸電路用片式磁珠MMZ1005-V(?L:1.0×W:0.5×H:0.5mm)系列，并從2013年9月起開始量產(chǎn)。 在以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)通信設(shè)備中，由于搭載了WiFi、LTE等，通信頻率正日益走向高頻化。隨之，包括模塊在內(nèi)的被動(dòng)元件，都需要可以應(yīng)對(duì)2GHz以上頻率的噪聲對(duì)策。 該產(chǎn)品通過(guò)采用新型磁性材料，將阻抗峰值頻率擴(kuò)大到2.5GHz頻段，實(shí)現(xiàn)了高阻抗。在2.5GHz上的阻抗值為3,000(Ω)typ.，與以往產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： EMC 元件 TDK
電容器
- 2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！ eraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
- 關(guān)鍵字： TDK 電容器 CeraLink SiC
聲學(xué)元件
- 2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK公司最近新推出了C928型麥克風(fēng)，進(jìn)一步擴(kuò)大了愛普科斯?(EPCOS)?MEMS麥克風(fēng)的產(chǎn)品類型。該款麥克風(fēng)擁有高達(dá)66dB(A)的信噪比?(SNR)，頻率范圍為20Hz到20KHz，非常適用于智能手機(jī)中高要求的音頻應(yīng)用。當(dāng)音源較遠(yuǎn)時(shí)，例如免提通話或錄制視頻時(shí)，它的高信噪比能夠顯著提高音質(zhì)?！ ?duì)于傳統(tǒng)麥克風(fēng)，在高聲壓情況下，較高的信噪比通常會(huì)大幅增加非線性失真度。而對(duì)于采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)的C928?MEMS麥克風(fēng)而言，即便
- 關(guān)鍵字： TDK MEMS MEMS
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