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          新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測(cè)  

          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡稱PCIM Asia)(展位號(hào):11號(hào)館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          第三代半導(dǎo)體,距離頂流差了什么

          • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年,這個(gè)市場(chǎng)非但沒有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來覆去了,市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

          • 7月22日,蘇州悉智科技有限公司(以下簡稱“悉智科技”)宣布,其首批車規(guī)級(jí)功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示,此次下線的首批量產(chǎn)模塊,是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上,悉智科技取得了顯著進(jìn)展,目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單,并會(huì)在今年四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示,悉智科技自2022年1月1日正式運(yùn)營以來,始終專注于車規(guī)級(jí)功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn),致力于為智能電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前,該公司已在蘇州建成具
          • 關(guān)鍵字: 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

          電動(dòng)汽車和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

          • 圖1 半導(dǎo)體對(duì)許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑,從社會(huì)發(fā)展的角度,我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小,清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是,擺脫化石燃料正被證明極其困難,向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐,還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平,如果我們要讓化石燃料成為過去,這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車(EV)和太陽能電池板等應(yīng)用,工程師面臨著更多的挑戰(zhàn),因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)
          • 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車  光伏逆變器  SiC  

          碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

          • 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān),具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)用的理想之選。
          • 關(guān)鍵字: 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

          瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認(rèn)證

          • 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
          • 關(guān)鍵字: 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認(rèn)證  

          2023年SiC功率元件營收排名,ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長,前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析,2024年來自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增,然而,純電動(dòng)汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈,預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  ST  

          碳化硅的新爆發(fā)

          • 隨著全球?qū)τ陔妱?dòng)汽車接納程度的逐步提升,碳化硅(SiC)在未來十年將會(huì)迎來全新的增長契機(jī)。預(yù)計(jì)將來,功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商與汽車行業(yè)的運(yùn)作方會(huì)更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)里。SiC 作為第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)越的性能,在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動(dòng)由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場(chǎng)缺乏批量出貨,因此 8 英寸 SiC 平臺(tái)被認(rèn)為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn),是良好的半導(dǎo)體材料,目前已經(jīng)在汽車電子、工業(yè)半導(dǎo)體等領(lǐng)域有
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          純電車需求放緩 SiC功率組件業(yè)年?duì)I收動(dòng)能降溫

          • 在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,根據(jù)TrendForce研究顯示,2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強(qiáng)勁成長,但2024年純電動(dòng)汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱,預(yù)估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示,2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示,作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFET供貨商,ST正在意大利卡塔尼亞打
          • 關(guān)鍵字: 純電車  SiC  功率組件  TrendForce  

          GaN“上車”進(jìn)程加速,車用功率器件市場(chǎng)格局將改寫

          • 根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè),氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長 (CAGR) 將高于45%,其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(chǎng)(automotive & mobility),“從無到有”,五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應(yīng)用市場(chǎng)成長則顯得比較溫和,CAGR遠(yuǎn)低于GaN(圖1)。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速,功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶憽D1:在GaN市場(chǎng)份額變化中,汽車與出行市場(chǎng) “從無到有”,五年后
          • 關(guān)鍵字: GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC  

          一文了解SiC MOS的應(yīng)用

          • 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

          低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

          • 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用,可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統(tǒng)Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo),從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講,
          • 關(guān)鍵字: 低導(dǎo)通電阻  SiC  大電流  高功率  

          SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

          • 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是,雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率,但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對(duì)于 SiC 功率器件制造商來說,準(zhǔn)確測(cè)量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的,特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章,來重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率器件  溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量  

          設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

          • 電動(dòng)汽車(EV)直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動(dòng)汽車上的車載充電機(jī),直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示,直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成:圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí),必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù),以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
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