- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- 三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。
IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。
三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
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三星 NAND
- 11月9日消息，據國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。
處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。
這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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東芝 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 3D NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 NAND
- 據IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。
2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
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DRAM NAND
- DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別-現如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存儲器
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產線數周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。
DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產量。PCGamesN網站預估假設這段停產時間正常生產，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產
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東芝 NAND
- 廣東佛山，2017年10月18日訊，作為國內領先的可編程邏輯器件供應商，廣東高云半導體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導體”)今天宣布加入RISC-V基金會，成為該組織成員中第一家中國FPGA供應商。此舉是繼2016年加入MIPI聯盟后高云半導體又一次加入國際性行業(yè)聯盟組織，進一步向業(yè)界表達其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應商的愿景?！ ISC-V是一種新型的指令集架構(ISA)，其初衷是支持計算機體系結構研究與教育，目前在RISC-V基金會的領導下已經成為行業(yè)通用的標準開放架構。RISC-V&nb
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高云 RISC-V
- DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現壞塊和在使用過程中會出現壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數，如tREA(讀信號低電平到數據輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統為器件施加適當的控制激勵，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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NAND magnum
- DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
- 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數人所想象的更短許多...
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3D NAND 摩爾定律
- 內存股王群聯電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應求。
臺灣東芝先進半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯董事，群聯昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內存株式會社當選。
潘健成表示，東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯股權移轉給東芝內存;而群聯與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術，雙方關系將比過去15年更加緊密，在產業(yè)的競
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NAND
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