v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

OP97運(yùn)放輸出量程為±3.3V的電壓，需加一級(jí)V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過(guò)設(shè)置固定的5個(gè)碼值：FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬(wàn)用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過(guò)8個(gè)小時(shí)測(cè)試，其分辨率和精度均能達(dá)到15...
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說(shuō)明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖
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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)暢旺東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

　　根據(jù)彭博社的報(bào)導(dǎo)，受惠于于儲(chǔ)存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(zhǎng)，加上撙節(jié)計(jì)畫的奏效，日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益上調(diào) 36%，來(lái)到 950 億日?qǐng)A (約新臺(tái)幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過(guò)去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營(yíng)收，從 2.55 兆日?qǐng)A上調(diào)至 2.58 兆日?qǐng)A。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計(jì)資料顯示
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航　　以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對(duì)3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長(zhǎng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
關(guān)鍵字： NAND SSD

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

H.264等視頻壓縮算法在視頻會(huì)議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時(shí)間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運(yùn)行。未來(lái)在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
關(guān)鍵字： altera Cyclone V SoC FPGA DSP

基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度。基于保障風(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
關(guān)鍵字：故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)

讓汽車看懂紅綠燈奧迪新技術(shù)展示

如果說(shuō)無(wú)人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對(duì)駕駛員來(lái)說(shuō)已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報(bào)道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
關(guān)鍵字：奧迪 V-to-V V-to-I

關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時(shí)間以來(lái)，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲(chǔ)設(shè)備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開(kāi)始浮出水面，被越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。　　那么，在價(jià)格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器