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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
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若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調(diào)，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結(jié)果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強調(diào)，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。 郭臺銘補充，因為美國國內(nèi)市場需求在當?shù)剡€沒達到，
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時，手
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2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉(zhuǎn)進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
Gartner：2016年全球半導體收入增長2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率。 Gartner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強，定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
物聯(lián)網(wǎng)風起 我國亟需建設(shè)自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術(shù)語的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資
- 東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內(nèi)存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果，將會由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。 潘健成強調(diào)，東芝半導體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 3D NAND
2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機密
- 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作，因為大家的最大
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
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