由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大
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存儲器 NAND
首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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Flash NAND 扇區(qū)管理
全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。
巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業(yè)界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
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西數 NAND
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
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NAND 服務器
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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TrendForce NAND
未來半導體進入五大轉折，包括邏輯芯片制程技術推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產業(yè)。
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NAND AR
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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存儲器 NAND
據外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營業(yè)利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預期為300億日元。
受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調營業(yè)利潤預期，該公司在今年5月份最初預計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。
智能機存儲芯片的強勁需求推動東芝上調營業(yè)利潤預期。另外，比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。
芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現(xiàn)。盡管全球智能機市場表現(xiàn)乏力，但是中國智能機出
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東芝 NAND
先前，因為受到連續(xù)7年作假帳風波，因而導致公司商譽嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產品，導致相關價格的不斷上揚，如此以進一
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東芝 NAND
日媒稱，日本半導體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個月移動平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個產業(yè)帶來了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。
據外媒報道，“采購設備的時間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
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半導體 NAND
據韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場調研機構IHS和半導體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。
今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導體銷售額達122.72億美元，市場份額為14.7%。
三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點，2013年為4.2個百分點，2014年3.4個百分點，2015年為3.2個百分點。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點以上，但
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半導體 NAND
第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%，結束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。
受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂，通路端wafer價格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。
DRAM
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NAND 三星
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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美光 3D NAND
受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂，渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第三季
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美光 NAND
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