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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉(zhuǎn) 在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
- 關(guān)鍵字： Nand 燒錄
下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應(yīng)。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
- 關(guān)鍵字： 新芯 NAND
DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
- 關(guān)鍵字： Flash NAND
傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠積極打進蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報導(dǎo)，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導(dǎo)，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
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