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          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)?

          •   摘要:關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!  近日某電子科技有限公司的客戶郵件反饋:使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA,不良率比較高,甚至達(dá)到了10%的燒錄不良率,而燒錄SAMSUNG廠家
          • 關(guān)鍵字: SmartPRO  NAND   

          因應(yīng)中國市場需求 Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND

          •   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合,將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國大連廠,轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達(dá)55億美元,預(yù)計于明年下半年開始量產(chǎn)。   根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù),2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達(dá)66.7億美元,占全球產(chǎn)值29.1%,明年更可望達(dá)到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一,成長幅度十分驚人。   DRAMeXchan
          • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

          英特爾大連廠變道:一座明星廠的尷尬自救

          • 從一個經(jīng)典明星案例到現(xiàn)在這種尷尬的路徑,這是中美兩國科技、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)、產(chǎn)業(yè)變遷、英特爾戰(zhàn)略共同博弈下的一種結(jié)果。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  Nand  

          中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速成長期 晶圓代工業(yè)者卡位戰(zhàn)開打

          • 半導(dǎo)體被列入重點培植產(chǎn)業(yè),政府計劃性的補(bǔ)貼下,全球市占率的日益攀升,產(chǎn)品競爭力快速成長,直接威脅了臺灣、歐美廠商,全球主要晶圓代工業(yè)者已陸續(xù)在中國進(jìn)行卡位戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  NAND   

          研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升,預(yù)估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本,提升系統(tǒng)安全性

          •   全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲啟動代碼,并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存,可幫助用戶降低系統(tǒng)成本,提高系統(tǒng)的安全性。   賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存,所有
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  NAND  

          電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路(V/I、V/F電路)

          •   1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路   電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號,轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。        由圖1可見,電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓,R為負(fù)載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
          • 關(guān)鍵字: V/I  V/F  

          今年推兩款存儲芯片 美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)

          •   《巴倫周刊》(Barron’s)報導(dǎo)指出,半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發(fā)近半,但仍有許多投資人看多,原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint,鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域,料將大幅提升美光利潤率。   兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年營收與凈利,而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴(kuò)大。   有看多美光者預(yù)測,股價可能于1年間上漲逾6成,達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為,1年間上漲
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

          紫光“三星化”壯大:企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英

          •   中國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話,“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會有重大新聞”,5 日正式發(fā)文,表示臺灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職,加入中國紫光集團(tuán),負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲存業(yè)務(wù)。消息一出,果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇,近來動作頻頻的紫光集團(tuán),究竟有什么背景與能耐,在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”?   ■紫光發(fā)展簡歷   依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡介,紫光的前身是中國清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司,并在 1993 年改組為清華紫光 (集
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND   

          東芝財報風(fēng)波長期恐將損及NAND事業(yè)

          •   東芝(Toshiba)財報不實風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門,但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導(dǎo)體界人士,卻表示長期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。   目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品,由于移動裝置需求持續(xù)成長,銷售量不斷增大,為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先,受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。   現(xiàn)在東芝碰上財務(wù)問題,對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響,雖說新社長室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè),對這個
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

          •   鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求,因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺和磊晶技術(shù)。   應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出,隨著先進(jìn)制程發(fā)展,該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向,一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù),另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。   應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發(fā)展至16/14奈
          • 關(guān)鍵字: FinFET  3D NAND  

          美光2016 資本支出大增至53億美元,市場冷淡

          •   內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference),會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元,但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能,市場似乎對內(nèi)存前景不具信心,當(dāng)日股價仍小跌了 4%、77分美元,收在 16.93 美元。   美光財務(wù)長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會計年度,資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元,再往回推至
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

          •   TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊,智慧型手機(jī)、平板電
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND   

          不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

          •   TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊,智慧型手機(jī)、平板電
          • 關(guān)鍵字: NAND  英特爾  

          NAND閃存走向發(fā)展死胡同?

          • NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同,工程師開始集中開發(fā)3D NAND
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  
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