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          Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關(guān)鍵字: Imec  III-V  

          慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

          •   慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競爭力的高性能SSD產(chǎn)品在市場上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show),慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
          • 關(guān)鍵字: 慧榮科技  3D NAND  

          韓廠進(jìn)入14納米平面NAND時代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)

          •   韓國兩大存儲器廠前進(jìn)14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn),而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè),并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。   韓媒ET News報導(dǎo),三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成,將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上,公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士,也進(jìn)入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉,SK海力士計劃將
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          中國下個購并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片

          •   中國政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。現(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為,中資集團(tuán)下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  芯片  

          美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)

          •   個人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里,美光科技股價跌去了60%。利潤和收入大幅下滑。利潤率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財季業(yè)績料將凸顯出艱難的經(jīng)營環(huán)境。   不過從歷史角度看,美光科技股價一直波動較大,周期性驅(qū)動的電腦芯片業(yè)務(wù)推動其股價起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱,過去一年里,美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫存,預(yù)計這一
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

          東芝擬分拆NAND存儲器事業(yè)部 其他部門或裁員

          •   昨(18)日消息,被東芝(Toshiba)視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來,并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金;另外,大分、巖手兩縣的工廠將藉由替其他廠商代工、來強(qiáng)化收益能力。   報導(dǎo)指出,東芝將在12 月21日公布以電視、PC 以及家電等事業(yè)為中心的合理化措施,可能將裁撤數(shù)千名員工,而半導(dǎo)體事業(yè)和核能、醫(yī)療用機(jī)器部門皆被東芝定位為核心事業(yè),故東芝正急
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

          •   全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TLC  

          掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

          •   NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應(yīng)用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。   NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個制程世代來降低成本,在售價大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          清華紫光仍在就NAND知識產(chǎn)權(quán)與美光進(jìn)行交涉?

          •   有報道指出,中國清華紫光集團(tuán)作為立場建立國內(nèi)第一條閃存芯片代工體系的帶頭企業(yè),目前正在積極探尋收購美國芯片技術(shù)廠商股權(quán)的可能性。   根據(jù)路透社方面的報道,清華紫光集團(tuán)董事長趙衛(wèi)國指出,他希望該集團(tuán)能夠在未來五年內(nèi)成為全球第三大芯片制造商。而在今年11月底,該集團(tuán)可能會與某家目前尚未確定的美國芯片企業(yè)達(dá)到股權(quán)收購協(xié)議。   趙衛(wèi)國指出,考慮到美國政府方面的顧慮,清華紫光集團(tuán)可能無法購買協(xié)議對象的大部分股權(quán)。   此前曾經(jīng)有傳聞稱清華紫光有意收購美光公司,但由于美國政府認(rèn)為該公司由中方持有可能造成
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          清華紫光仍在就NAND知識產(chǎn)權(quán)與美光進(jìn)行交涉?

          •   有報道指出,中國清華紫光集團(tuán)作為立場建立國內(nèi)第一條閃存芯片代工體系的帶頭企業(yè),目前正在積極探尋收購美國芯片技術(shù)廠商股權(quán)的可能性。   根據(jù)路透社方面的報道,清華紫光集團(tuán)董事長趙衛(wèi)國指出,他希望該集團(tuán)能夠在未來五年內(nèi)成為全球第三大芯片制造商。而在今年11月底,該集團(tuán)可能會與某家目前尚未確定的美國芯片企業(yè)達(dá)到股權(quán)收購協(xié)議。   趙衛(wèi)國指出,考慮到美國政府方面的顧慮,清華紫光集團(tuán)可能無法購買協(xié)議對象的大部分股權(quán)。   此前曾經(jīng)有傳聞稱清華紫光有意收購美光公司,但由于美國政府認(rèn)為該公司由中方持有可能造成
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          市場供過于求 NAND廠商利潤面臨挑戰(zhàn)

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,2015年第三季NAND Flash價格下滑速度加快,整體營收僅較第二季成長約2.4%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季原先看好的旺季效應(yīng)需求并未出現(xiàn),來自于總體經(jīng)濟(jì)面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預(yù)期,也讓第三季整體NAND Flash市場呈現(xiàn)供過于求的格局,價格下滑的力道加強(qiáng)也讓業(yè)者營收成長與利潤保衛(wèi)也面臨挑戰(zhàn),第四季供過于求的情況將持續(xù),營收再度成長的動能也備受考驗。
          • 關(guān)鍵字: NAND  美光  

          三星 NAND 市占下滑,大陸供應(yīng)鏈威脅來勢洶洶

          •   中國政府積極扶植半導(dǎo)體,南韓三星倍感威脅,最新數(shù)據(jù)顯示三星 NAND 快閃記憶體的市占率被剛間接染紅的 SanDisk 搶走,更讓韓廠感受到紅色供應(yīng)鏈的威脅儼然已兵臨城下。   DRAMeXchange 第三季統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星 NAND 記憶體市占率為 31.5%,較去年同期下滑 1.1 個百分點(diǎn),與此同時,東芝上升 1.4 個百分點(diǎn)至 20.5%,Sandisk 更是成長 2 個百分點(diǎn)至 15.4%。(yonhapnews.com)   中國清華紫光集團(tuán)目前為硬碟大廠 WD(Western D
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          TrendForce:第三季NAND Flash價格下滑加劇,整體營收成長趨緩

          •   TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,第三季NAND Flash價格下滑速度加快,整體營收僅較第二季成長約2.4%。DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季原先看好的旺季效應(yīng)需求并未出現(xiàn),來自于總體經(jīng)濟(jì)面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預(yù)期,也讓第三季整體NAND Flash市場呈現(xiàn)供過于求的格局,價格下滑的力道加強(qiáng)也讓廠商營收成長與利潤保衛(wèi)面臨挑戰(zhàn),第四季供過于求的情況將持續(xù),營收再度成長的動能也備受考驗。     
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          紫光暫時擱置投資臺廠 正與美芯片廠談判

          •   紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示,將暫時擱置對臺灣科技公司的投資計畫。紫光目前重點(diǎn)是五年內(nèi)投資人民幣3,000億元(約新臺幣1.5兆元),打造成為全球第三大晶圓制造廠,且目前正與美國一家芯片公司談判中。   稍早趙偉國提出愿將旗下展訊、銳迪科與聯(lián)發(fā)科合并,共同對抗美國芯片大廠高通,并布建“從芯到云”相關(guān)產(chǎn)業(yè)重要零組件,先前趙偉國來臺,還曾密會NAND控制IC大廠群聯(lián)董事長潘建成。   市場先前解讀,趙偉國頻頻對臺灣IC設(shè)計業(yè)釋出友善態(tài)度,若日后陸資投資我IC設(shè)計業(yè)規(guī)范松綁,紫光結(jié)盟
          • 關(guān)鍵字: 紫光  NAND  

          中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

          •   研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SSD  
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