v-to-i 文章進(jìn)入v-to-i技術(shù)社區(qū)

中國(guó)移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M

IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國(guó)內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡(jiǎn) BOM 設(shè)計(jì)，edrx 待機(jī)電流達(dá)到 0.74mA，最小接收靈敏度達(dá)到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
關(guān)鍵字： RISC-V 中國(guó)移動(dòng) LTE

RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)新戰(zhàn)場(chǎng)

在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國(guó)公司開發(fā)在中國(guó)廣泛使用的免費(fèi)芯片技術(shù)，此舉可能會(huì)顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭(zhēng)論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險(xiǎn)五”，這是一種開源技術(shù)，與英國(guó)半導(dǎo)體和軟件設(shè)計(jì)公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。RISC-V可以用作從智能手機(jī)芯片到人工智能高級(jí)處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì)主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國(guó)家安全為由，
關(guān)鍵字： RISC-V 芯片法案

中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場(chǎng)！RISC-V開源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)

中美科技競(jìng)爭(zhēng)又有新動(dòng)向。美國(guó)政府正面臨國(guó)會(huì)壓力，要求限制美國(guó)企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開源性使得這項(xiàng)技術(shù)在中國(guó)大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對(duì)全球科技業(yè)的跨國(guó)合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，這一次的爭(zhēng)議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開放原始碼架構(gòu)，與英國(guó)的安謀國(guó)際科技公司（Arm Holdings）的競(jìng)爭(zhēng)激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機(jī)芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國(guó)會(huì)議員以國(guó)家安全為由，敦促拜登政府針對(duì)RISC-V問題采取行動(dòng)，
關(guān)鍵字： RISC-V 開源芯片

基于Microchip MCU的汽車流水轉(zhuǎn)向燈方案

此方案的主要芯片選用汽車級(jí)MCU PIC16F15324-I/SLVAO，輸出11個(gè)信道，每信道控制2顆LED，形成流水燈效果。LY E67F是OSRAM 汽車級(jí)高亮LED，廣泛應(yīng)用于汽車轉(zhuǎn)向燈，尾燈等應(yīng)用。方案應(yīng)用于汽車流水轉(zhuǎn)向燈及汽車高位剎車燈。1、流水燈的通斷電時(shí)間需要根據(jù)閃光器的實(shí)際時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。2、PCB 請(qǐng)根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品尺寸來設(shè)計(jì)并考慮散熱，主要發(fā)熱元件：LED燈珠、68歐電阻、三極管。3、正式生產(chǎn)時(shí)請(qǐng)將代碼保護(hù)開啟：#pragma config CP = ON 也可以直接在MCC中配
關(guān)鍵字： Microchip PIC16F15324-I/SLVAO OSRAM LED 汽車流水轉(zhuǎn)向燈 15324

上新!100%國(guó)產(chǎn)物料認(rèn)證,米爾入門級(jí)國(guó)產(chǎn)核心板全志T113-i方案

自米爾國(guó)產(chǎn)全志T113系列的核心板發(fā)布以來，這款高性價(jià)比、低成本、入門級(jí)、高性能的國(guó)產(chǎn)核心板咨詢不斷，配套的開發(fā)板已經(jīng)成交量數(shù)百套，深受工程師們的青睞，為了集齊T113全系列的產(chǎn)品，這次米爾發(fā)布了基于全志T113-i處理器的核心板和開發(fā)板，讓廣大工程師有了更多的選擇。接下來看看T113-i這款國(guó)產(chǎn)核心板的性能和優(yōu)勢(shì)。MYC-YT113i國(guó)產(chǎn)核心板真正的國(guó)產(chǎn)核心板，100%國(guó)產(chǎn)物料認(rèn)證核心板采用100%國(guó)產(chǎn)物料，經(jīng)賽寶實(shí)驗(yàn)室權(quán)威認(rèn)證，物料自主可控，產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)，全面驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)化，終端用戶可放心選用。圖&nb
關(guān)鍵字：核心板國(guó)產(chǎn)核心板國(guó)產(chǎn)開發(fā)板全志T113 T113-i

這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！

隨著PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應(yīng)用越來越多，市場(chǎng)對(duì)PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時(shí)增加更多系統(tǒng)級(jí)功能，這對(duì)傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲(chǔ)器、增強(qiáng)的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源，在
關(guān)鍵字： RISC-V 快充協(xié)議

蘋果與Arm達(dá)成長(zhǎng)期協(xié)議，加強(qiáng)合作的同時(shí)不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設(shè)計(jì)公司Arm提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達(dá)成了一項(xiàng)“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評(píng)論，蘋果也沒有立即回復(fù)置評(píng)請(qǐng)求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設(shè)計(jì)授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機(jī)芯片領(lǐng)域95%以上的市場(chǎng)份額，包括平板電腦等，實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動(dòng)芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
關(guān)鍵字：蘋果 Arm RISC-V IPO 軟銀

Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計(jì)算機(jī)（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計(jì)算機(jī)端口如下：1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機(jī)端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
關(guān)鍵字： RISC-V

RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國(guó)峰會(huì)，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細(xì)細(xì)品味。后摩爾時(shí)代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計(jì)算場(chǎng)景復(fù)雜多變，RISC-V設(shè)計(jì)的初衷便是覆蓋各種計(jì)算場(chǎng)景，這與時(shí)代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應(yīng)用場(chǎng)景已成必然。在2
關(guān)鍵字： RISC-V 賽昉科技

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
關(guān)鍵字： Vishay 650 V 功率MOSFET

RISC-V工委會(huì)正式成立

據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)RISC-V工作委員會(huì)正式成立。RISC-V工委會(huì)是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國(guó)性、行業(yè)性、非營(yíng)利性社會(huì)團(tuán)體，是中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)（簡(jiǎn)稱“中電標(biāo)協(xié)”）所屬分支機(jī)構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會(huì)的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評(píng)估、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導(dǎo)國(guó)內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競(jìng)爭(zhēng)走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實(shí)
關(guān)鍵字： RISC-V 工委會(huì)

國(guó)家支持，RISC-V 工委會(huì)正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國(guó)北京 —— 中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)正式成立，賽昉科技當(dāng)選副會(huì)長(zhǎng)單位。中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)，簡(jiǎn)稱：RISC-V 工委會(huì)，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
關(guān)鍵字： RISC-V

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

RISC-V的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)在哪里？

開源的 RISC-V 已成為中國(guó)業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)。
關(guān)鍵字： RISC-V

如何有效使用RISC-V的跟蹤技術(shù)

在嵌入式軟件開發(fā)中，利用完整的應(yīng)用跟蹤，可為開發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無限的可能性。通過對(duì)應(yīng)用程序的全面了解，他們可以跟蹤每一條指令，看看他們的應(yīng)用程序是否按照預(yù)期運(yùn)行，或者是否出現(xiàn)錯(cuò)誤或漏洞。那么，如何才能最大化地利用現(xiàn)有可用的RISC-V跟蹤呢？什么是跟蹤？與傳統(tǒng)的通過設(shè)置斷點(diǎn)、printf等進(jìn)行調(diào)試相比，跟蹤更像是在不打擾的情況下觀察你的應(yīng)用程序?；旧?，開發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀察整個(gè)程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執(zhí)行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟蹤數(shù)據(jù)被捕獲，你可
關(guān)鍵字： IAR RISC-V 跟蹤技術(shù)