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Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái)，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！　≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

　　世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！　≈饕獞?yīng)用　　w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機(jī) w智能電網(wǎng) w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多
關(guān)鍵字：新能源汽車(chē) MOSFET

碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
關(guān)鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?！　IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET

貿(mào)澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

　　專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能微型逆變器等設(shè)備的功率密度?！　≠Q(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 STMicroelectronics MOSFET

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提高逆變器級(jí)工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級(jí)光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設(shè)備提供所需驅(qū)動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類(lèi)器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)?！　ishay
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

穩(wěn)健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。這些機(jī)電系統(tǒng)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國(guó)際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國(guó)際汽車(chē)展上，展示其全面豐富的車(chē)規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號(hào)館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
關(guān)鍵字： Vishay 轉(zhuǎn)換器 MOSFET

意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

　　意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)?！　♂槍?duì)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線(xiàn)有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送?，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)

關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器滿(mǎn)足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車(chē)中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車(chē)內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險(xiǎn)也大幅升高了。因此，新式車(chē)輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴(yán)格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源充斥著 EMI，并在整個(gè)汽車(chē)中“彌漫擴(kuò)散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅(jiān)固性和易用性一起，成為了對(duì)汽車(chē)電源的一項(xiàng)關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿(mǎn)足汽車(chē)制造商嚴(yán)格的 EMI 要求，同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
關(guān)鍵字： MOSFET，LT8650S

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計(jì)8W以?xún)?nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計(jì)輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計(jì)8W以?xún)?nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計(jì)輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶(hù)將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?！　√蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多
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宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線(xiàn)，無(wú)縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車(chē)智能化崛起后供不應(yīng)求，為填補(bǔ)供應(yīng)鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導(dǎo)體驗(yàn)證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡(jiǎn)稱(chēng)BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶(hù)穩(wěn)定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線(xiàn)生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶(hù)一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
關(guān)鍵字：宜特 MOSFET