- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
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MOSFET IGBT 隔離驅動
- 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
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MOSFET 筆記本電源 降壓變換器
- 在傳統(tǒng)應用領域,功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變,實現家電工業(yè)轉型升級,優(yōu)化產業(yè)結構。而隨著物聯網、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產業(yè)的高速發(fā)展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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功率半導體 MOSFET
- 在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET漲價已經很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài),包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產能?! ∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?,汽車電子、物聯網、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求,導致電腦以及智能手機等3C電子產品用MOSFET供貨嚴重不足,價格已經從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據市場表示,今年上半年MOSFET
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中興 ODM OEM MOSFET
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分,其能夠幫助實現各種各樣的功能,包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
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MOSFET DC/DC轉換 SQJQ480E
- IGBT基礎與運用 IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?! ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示: IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?! 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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IGBT,MOSFET
- 隨著電子產品功能愈來愈多元,對于低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件,而在目前市面上產能不足,客戶龐大需求下,電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」,目前已有20多家海內外廠商,包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底,前來宜特進行工程試樣,并于第二季初開始進行小量產,并在下半年正式量產?! ∫颂囟麻L 余維斌指出,在車用可靠度驗證分析本業(yè)上,已做到亞洲龍頭,然而在服務客戶的同時,發(fā)現了此
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MOSFET 晶圓
- 意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?! ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優(yōu)勢可簡化設計,節(jié)省空間和物料清單成本?! IPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
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意法半導體,MOSFET
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng),需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
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SiC,MOSFET
- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結MOSFET,電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?! OSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下: CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中,輸入電容CG
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MOSFET 非線性電容
- MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?! ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
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MOSFET 電源IC
- 全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET,為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰(zhàn)略合作關系,旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯手打造的最新產品。?這些產品在應用電力電子
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Littelfuse MOSFET
- EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上,與工程師會面并作技術交流。屆時,EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設計,從而為工程師及其客戶,打造共創(chuàng)共贏新局面?! irFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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宜普 MOSFET
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