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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱(chēng)電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱(chēng)電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 120 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
關(guān)鍵字：解析能量雪崩 UIS MOSFET

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
關(guān)鍵字：考量設(shè)計(jì) MOSFET 功率

MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
關(guān)鍵字： MOSFET 電容

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
關(guān)鍵字：熱模型 MOSFET PSPICE

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體英飛凌科技 MOSFET

飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。　　飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶(hù)保證供
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

1引言開(kāi)關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開(kāi)關(guān)頻率以及開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來(lái)越大，由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
關(guān)鍵字：仿真分析干擾電磁 MOSFET 電壓開(kāi)關(guān)電源

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個(gè)PIN腳功能(上接第
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

計(jì)算功率耗散　　要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
關(guān)鍵字：大功率電源中 MOSFET 功率

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

摘要
　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無(wú)刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過(guò)使用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
關(guān)鍵字： MOSFET 逆變模塊系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng) 功率電機(jī) 適用于

計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設(shè)定輸入電壓范圍改變開(kāi)關(guān)頻率
也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每?jī)赡攴槐丁Ｊ聦?shí)上
關(guān)鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計(jì)算

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下，保證器件正常
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 控制器

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