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          Vishay獲《電子產(chǎn)品世界》“2011編輯推薦”獎(jiǎng)

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司的WSMS2908 Power Metal Strip儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎(jiǎng),該雜志是中國(guó)重要的電子專業(yè)類刊物。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  無(wú)源器件  

          Vishay提高其MLCC的最低容值

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard表面貼裝X7R多層陶瓷片式電容器(MLCC)的最低容值。對(duì)于更低的容值,公司會(huì)提供C0G(NP0)電介質(zhì),電壓范圍1000V~2500V,及采用0805~2225的5種外形尺寸。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MLCC  VJ HVArc Guard  

          Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款耐高溫厚膜片式電阻

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對(duì)于鉆井應(yīng)用,CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃~+230℃的工作溫度和-55℃~+245℃儲(chǔ)存溫度的此類器件。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電阻  CHPHT  

          Vishay發(fā)布新系列高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列可在-55℃~+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴(kuò)大了近100℃,絕對(duì)TCR低至±25ppm/℃,TCR跟蹤為5ppm/℃,以及±0.05%的嚴(yán)格比例容差。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  薄膜電阻  HTRN  

          Vishay推出新款耐高溫鉭電容器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在-55℃~+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP TANTAMOUNT表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的TH4電容器能在遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高溫下工作,為汽車和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  鉭電容器  TH4  

          Vishay發(fā)布三款新型表面貼裝共模扼流圈

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型表面貼裝共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743,為直流電源線提供了低直流電阻、高電流處理能力和高可靠性。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  共模扼流圈  ICM-2824  ICM-3528  ICM-4743  

          Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng),使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiZ300DT  SiZ910DT  

          Vishay發(fā)布具有集成電阻的新款表面貼裝MLCC

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用一個(gè)集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對(duì)于高脈沖電流應(yīng)用,VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性,可承受1000VDC~1500VDC的高電壓,容量為33nF~560nF。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MLCC  VJ CDC  

          Vishay發(fā)布新款850nm紅外發(fā)射器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝,占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率,同時(shí)具有低熱阻系數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  發(fā)射器  VSMY7852X01  VSMY7850X01  

          Vishay推出新款4線總線端口保護(hù)陣列

          • 除了能節(jié)省電路板空間,4線VBUS54ED-FBL采用了“滲流”設(shè)計(jì),這種設(shè)計(jì)支持筆記本電腦、手機(jī)、MP3播放器和便攜式游戲機(jī)等移動(dòng)式電子產(chǎn)品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等應(yīng)用中高速數(shù)據(jù)線對(duì)浪涌電阻的要求。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  ESD  VBUS54ED-FBL  

          Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Vishay推出超小SMD封裝的功率型Mini LED

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色,采用最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù),使光輸出增加了3倍,并通過(guò)針對(duì)汽車應(yīng)用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  封裝  Mini LED  VLMx233  

          Vishay業(yè)界首款CAT IV高壓隔離光耦

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過(guò)了國(guó)際安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)VDE的認(rèn)證,具有長(zhǎng)爬電距離和高隔離測(cè)試電壓,可保護(hù)在類似太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)電機(jī)組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?,F(xiàn)在,希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實(shí)現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST,這兩款器件填補(bǔ)了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
          • 關(guān)鍵字: Vishay  太陽(yáng)能  CAT IV  

          Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%,而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si8802DB  

          Vishay Siliconix推出CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn),可用于高速、高精度開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix  CMOS  DG9236  DG9251  
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