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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件
- 日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。 新款I(lǐng)HLP-6767DZ-01的頻率范圍達(dá)2MHz，是終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)和DC-DC應(yīng)用的高效能、節(jié)省空間和低功耗的解決方案，這些應(yīng)用領(lǐng)域包括下一代移動設(shè)備、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡和汽車電子系統(tǒng)，低外形、
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Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)充了其光電產(chǎn)品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個(gè)器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，這些器件可節(jié)省電路板空間和降低成本。這些光耦產(chǎn)品采用8引腳的DIP封裝，可保護(hù)人體免受電擊，在家電和很多其他系統(tǒng)中，可對低壓控制電路與高壓電源進(jìn)行光電隔離，避免出現(xiàn)過流情況。 VO2223和VO2223A的
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。 2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對于+28V應(yīng)
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Vishay推出保護(hù)USB-OTG端口的新款ESD保護(hù)陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內(nèi)可提供3路USB ESD保護(hù)，在12V工作電壓范圍內(nèi)提供1路VBUS保護(hù)。 VBUS053BZ-HNH-G-08采用無鉛的LLP1713-9M,封裝，具有0.6mm的超低外形，可在高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中減少有源ESD保護(hù)所需的電路板
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Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動器、兩個(gè)針對PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動開關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。 microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay發(fā)布基于光敏二極管的環(huán)境光傳感器的視頻演示
- 日前，Vishay宣布，為幫助客戶了解在應(yīng)用中使用環(huán)境光傳感器的益處，Vishay公司將在官方網(wǎng)站上發(fā)布其光電產(chǎn)品組的視頻產(chǎn)品演示。 Vishay的環(huán)境光傳感器采用獨(dú)家的紅外濾波環(huán)氧樹脂技術(shù)，能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性，而對非可見光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素?zé)襞莸热斯ふ彰髦屑t外成分對傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測試，顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優(yōu)于競爭產(chǎn)品和標(biāo)準(zhǔn)的硅光敏晶體管。 這段演示表明，在不同的光源下，其他技術(shù)
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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規(guī)定的新款器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內(nèi)，該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅(qū)動IC，以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規(guī)定的服務(wù)器、PC、圖形卡、工作站、游戲機(jī)和其他高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器(VR)標(biāo)準(zhǔn)。該器件的工作頻率超過1MHz，效率高達(dá)92%。 SiC7
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Vishay推出用于LED照明的表面貼裝白光LED器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類似器件保持大范圍的引腳兼容，VLMW321xx LED提供了3個(gè)陽極和1個(gè)陰極，VLMW322xx LED提供了3個(gè)陰極和1個(gè)陽極。 今天發(fā)布的這些器件采用PLCC-4封裝，優(yōu)化的引線框使熱阻降低至300K/W，功率耗散高達(dá)200mW，從而使器件能夠使用高達(dá)50mA的驅(qū)動電流，使亮度
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Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出內(nèi)置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應(yīng)用中為短路故障提供非常高級別的保護(hù)。 TF3系列器件具有一個(gè)內(nèi)部的電子式熔斷裝置，在+25℃、最小5A電流條件下，熔斷裝置可以0.1秒的時(shí)間內(nèi)起作用。在因電流過大引發(fā)故障的情況下，可以防止對電路元器件造成損傷。 這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
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Vishay推出ESD級別高達(dá)2kV的車用精密薄膜電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認(rèn)證、ESD級別高達(dá)2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標(biāo)準(zhǔn)TCR低至±25ppm/℃，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求，同時(shí)具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。 由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經(jīng)過10,000小時(shí)后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控
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