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Vishay發(fā)布助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
- 日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本,該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻,展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。 傳統(tǒng)上,設(shè)計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機,以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進,為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個免費工具,可讓設(shè)計者在制造原型前,對器件進行細致的熱仿真,從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具,使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計者還可以定義其他散熱器件,并仿真這些元器件對M
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Vishay推出全新官方網(wǎng)站
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布經(jīng)過重新設(shè)計的公司網(wǎng)站www.vishay.com,以便更好地服務(wù)客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對主頁的產(chǎn)品類別加以重新組織,增強搜索系統(tǒng)和改進產(chǎn)品選擇信息,新網(wǎng)站使用戶能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設(shè)計的網(wǎng)站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務(wù)和支持、設(shè)計工具以及公司信息。 新主頁的產(chǎn)品類別非常清晰,包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護陣列
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護陣列,可保護PC和便攜式消費電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應用。 新的保護陣列在0V時具有16pF的低容值,在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝,在生產(chǎn)過程中很容易進行處理,0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護,保護等級達到pe
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Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品,滿足特定用戶的需求,Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中,該器件的導通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi),這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半:在4.5V、2
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。 新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃~+215℃,最高儲存溫度可達+230℃,是業(yè)界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過1000小時后的負載壽命穩(wěn)定率依然可達0.5%,并同時保持嚴格的TCR和容差。 新款分立電阻的
- 關(guān)鍵字: Vishay 貼片電阻 電阻元件
Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件,擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外,該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 越來越多的電子設(shè)計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應,因為這些效應會影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專業(yè)和精密電阻能夠在這些應用當中提供穩(wěn)定的性能。 今天發(fā)布的新款專業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時
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