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          內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案

          •   Raj Talluri? (美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理)  1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn)  數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求,而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來源?! ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域,基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長(zhǎng),智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM , 以 支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢(shì)判斷,美光認(rèn)為2020年,智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND。  與此同時(shí),5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對(duì)DRAM和N
          • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  AI  

          2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

          •   張明花(集邦咨詢顧問(深圳)有限公司 編輯,深圳 518000)  摘? 要:預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%,這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo),資本支出也會(huì)減少。  關(guān)鍵詞:內(nèi)存;DRAM;三星;SK海力士;美光  觀察全球內(nèi)存(DRAM)市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì),在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后,2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過于求狀態(tài),即便2020年 第1季度DRAM的
          • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

          南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

          • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) DRAM 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)!
          • 關(guān)鍵字: 10nm  DRAM  

          帝瓦雷與華為聯(lián)合打造 華為Sound X發(fā)布:1999元起

          • 11月25日消息,華為Sound X亮相。官方介紹,華為Sound X由華為與帝瓦雷聯(lián)合設(shè)計(jì),其設(shè)計(jì)靈感源于維也納音樂金色大廳。它采用全對(duì)稱美學(xué)設(shè)計(jì),音箱尺寸為165mm(直徑)×203mm(高度),重量為3.5kg,使用NCVM不導(dǎo)電真空電鍍工藝,其優(yōu)勢(shì)在于擁有金屬質(zhì)感、光亮通透,同時(shí)不影響無線信號(hào)傳輸,耐磨、耐醇、耐汗。規(guī)格方面,華為Sound X搭載帝瓦雷60W雙低音炮,同時(shí)搭載揚(yáng)聲器主動(dòng)匹配信號(hào)處理專利技術(shù),配合獨(dú)特的對(duì)稱式重低音設(shè)計(jì)以及巴黎實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合調(diào)測(cè),給你看得見的震撼聽覺。而且,華為Sou
          • 關(guān)鍵字: 華為  音箱  Sound X  

          儒卓力與愛普科技簽署全球分銷協(xié)議

          • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè),全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項(xiàng)分銷協(xié)議涵蓋了愛普科技的全部產(chǎn)品,并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議,儒卓力是愛普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨(dú)家分銷商。愛普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案,重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長(zhǎng)壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng),存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
          • 關(guān)鍵字: RAM  DRAM  

          Intel花式“揶揄”對(duì)手:新酷睿X可以達(dá)到標(biāo)稱加速頻率

          • 近日,Intel發(fā)布新一代酷睿X桌面發(fā)燒級(jí)處理器,覆蓋10~18核,采用14nm Cascade Lake-X架構(gòu),定價(jià)590~978美元。
          • 關(guān)鍵字: AMD  英特爾  Core X  

          Intel新發(fā)燒12核酷睿i9-10920X現(xiàn)身跑分:接口不變

          • 隨著發(fā)布日期的臨近,Intel下一代發(fā)燒級(jí)桌面平臺(tái)Cascade Lake-X開始頻頻出現(xiàn)在測(cè)試數(shù)據(jù)庫中。GeekBench上已經(jīng)先后出現(xiàn)了10核心20線程酷睿i9-10900X、旗艦級(jí)酷睿i9-10980XE的身影,如今輪到12核的Core i9-10920X了?;鶞?zhǔn)識(shí)別出的頻率為2.77/3.80GHz,顯然不對(duì),畢竟現(xiàn)款12核i9-9920X是3.5/4.4GHz。跑分方面,單核5339,多核44046。成績(jī)算得上正常,正好卡在Core i9-10900X (5204 / 39717)和Core i
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  Core i9  Core X  

          南亞科:明年下半年DRAM將供不應(yīng)求

          • DRAM大廠南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭認(rèn)為,明年第2季起,DRAM市場(chǎng)就會(huì)供需平衡,且若市場(chǎng)未有大量新產(chǎn)能開出,下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  市場(chǎng)  

          日韓決裂,半導(dǎo)體誰最受傷?

          • 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
          • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  

          美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

          • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶,它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量,從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了美光為當(dāng)前和下一代
          • 關(guān)鍵字: LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)  

          國(guó)內(nèi)市場(chǎng)巨大 分析機(jī)構(gòu)看好華為5G手機(jī):明年出貨量全球第一

          • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、芯片、基站、手機(jī)……華為在5G方面的布局可謂又深又廣,非常契合其全球通信一哥的身份。
          • 關(guān)鍵字: 華為  三星  5G  Mate 20 X 5G  

          美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

          • 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此,市場(chǎng)預(yù)估,美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前,在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
          • 關(guān)鍵字: 美光  10納米  DRAM  

          華為Mate X發(fā)售時(shí)間曝光 最快9月份出貨

          • 今日有媒體報(bào)道,華為或?qū)⒃诒局芘e辦的開發(fā)者大會(huì)上公布華為Mate X的先關(guān)發(fā)售信息,最快該機(jī)會(huì)在9月份出貨。華為Mate X(5G版全網(wǎng)通)電商報(bào)價(jià)京東商城 預(yù)約搶購華為Mate X發(fā)售時(shí)間曝光 9月份出貨媒體援引自產(chǎn)業(yè)鏈消息人士說法,華為Mate X上市準(zhǔn)備已經(jīng)做好,相關(guān)發(fā)售信息預(yù)計(jì)會(huì)在8月9日的華為開發(fā)者大會(huì)上公布,最快出貨時(shí)間或在9月份。據(jù)了解,華為Mate X是在今年的MWC2019大展上正式對(duì)外公布。該機(jī)最大亮點(diǎn)是采用內(nèi)折屏設(shè)計(jì),正面是一塊6.6英寸大屏,背面屏幕尺寸6.38
          • 關(guān)鍵字: 華為Mate X  

          日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì),長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫存水位

          • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng),短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑,下游
          • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

          國(guó)際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國(guó)存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢(shì)擴(kuò)張

          •   在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán),讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距,又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱,存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn),迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張。  國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫  6月30日晚間,紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際,此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張。  據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì),5月全球半
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  存儲(chǔ)  DRAM  
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