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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> x-dram

          全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國?

          • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料,全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代,同時生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機(jī)遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額,但......
          • 關(guān)鍵字: 硅片  DRAM  

          DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破,DDR6火速殺到:速度飛天

          •   據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā),預(yù)期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000?! 〗邮懿稍L時,SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來?! im Dong-kyun透露,“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型,其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范,另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。  資料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR6  

          莫大康:影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個關(guān)鍵因素

          • 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢,用呈”不確定性”,而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面,包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  存儲器  

          2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

          • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。 
          • 關(guān)鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

          非易失性存儲器和易失性存儲器的對比

          •   非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。    在很多的存儲系統(tǒng)的寫操作程序中,內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時候,里面的數(shù)據(jù)會丟失,就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          2019年第一季DRAM合約價跌幅擴(kuò)大至近20%

          • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年12月正值歐美年節(jié)時期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價計(jì)算,意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價已于去年12月開始議定,綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱,以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價降至55美
          • 關(guān)鍵字: DRAM,價格  

          晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭 美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

          • 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn),對于兩國沖突的一個關(guān)鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴,美國謀求新的策略來打擊中國實(shí)現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報道,當(dāng)?shù)貢r間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預(yù)計(jì)晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  聯(lián)電  

          Gartner:三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場

          •   據(jù)BusinessKorea北京時間1月8日報道,受內(nèi)存行業(yè)的增長推動,去年全球半導(dǎo)體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營收同比增長38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快?! ?jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場初步報告顯示,全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元,同比增長13.4%。存儲芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大?! ∪请娮尤ツ甑陌雽?dǎo)體營收達(dá)759
          • 關(guān)鍵字: 三星  半導(dǎo)體  DRAM  

          存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷,2019年如何破局?

          • DRAM內(nèi)存降價已是必然,內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止,降價的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時,NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期,以致市場供過于求,價格連續(xù)走跌。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM   

          看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

          •   每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
          • 關(guān)鍵字: DRAM  GAA-FET  

          AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

          •   全球DRAM市場上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ?  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后,內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%,預(yù)計(jì)2019年還會繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          DRAM降價將會比預(yù)期更猛,明年對于存儲器來說將是難熬的一年

          •   DRAM內(nèi)存降價已是必然,內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止,降的時候看來勢頭會比預(yù)期更狠。  瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報告,雖然維持美光公司的中性評級,但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價,從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價幅度要高于預(yù)期,之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價格降幅達(dá)到10-15%,而且NAND閃存價格也會降10-15%?! 〈饲?,DRAMeXchang
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

          唇亡齒寒?臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必受中美貿(mào)易戰(zhàn)波及

          •   根據(jù)臺灣11月27日首度公布的報告顯示,由于大陸出口美國的產(chǎn)品,半數(shù)以上已被征稅,導(dǎo)致大陸制造商購買設(shè)備零件的意愿轉(zhuǎn)趨保守,臺灣機(jī)械訂單對大陸出口下滑,10月減少6.7個百分點(diǎn)?! ∨_灣經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處長林麗貞20日指出,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)接單已經(jīng)受到美中貿(mào)易摩擦影響。今年上半年基本金屬接單很旺,但近期接單成長明顯下滑,10月僅年增3.7%,為連續(xù)三個月呈個位數(shù)成長。  她進(jìn)一步表示,一旦中美貿(mào)易摩擦影響到全球經(jīng)濟(jì),恐會導(dǎo)致終端需求減少?! 〈送猓懈叨耸謾C(jī)銷售不如預(yù)期,恐會使未來資訊通信產(chǎn)品及電子產(chǎn)品接單受到影響
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM三巨頭或遭中國反壟斷處罰25億美元!韓國半導(dǎo)體夢將破滅

          • 國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局日前表示已對三星,海力士,美光公司進(jìn)行反壟斷調(diào)查。如果被認(rèn)定存在壟斷行為,將面臨天價罰款,這一數(shù)字或?qū)⑹敲考?5億美元
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

          • 存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,無論對于晉華、長江存儲還是長鑫,技術(shù)來源都是首先要解決的問題,無論技術(shù)授權(quán)、合作開發(fā),還是自主研發(fā),只有從技術(shù)源頭掌握關(guān)鍵技術(shù),才能避免被卡脖子。
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  
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