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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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Yole：供需失衡推動存儲芯片價格上漲，市場年均增長9%
- 存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預(yù)計，2016~2022年整個存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價格上漲，導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤! 存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預(yù)計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作
- 紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)能不好保證
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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作
- 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
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紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機構(gòu)調(diào)研時表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期，對全年業(yè)績估計相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
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數(shù)據(jù)中心需求熱，SK海力士第三季營收大幅增長30.1%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務(wù)器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
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