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DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization
- DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點事
- 次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo)，IBM 和三星在電機電子工程師學(xué)會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
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手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM
- 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非?？?。針對一些特殊應(yīng)用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖。 DRAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應(yīng)板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！ ttp://sine.ni.com/n
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內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
- “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。 DRAM作為半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個應(yīng)用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產(chǎn)手機下半年仍會漲價，部分原因是內(nèi)存成本上升。 集邦咨詢半導(dǎo)體
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威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
- 臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出，由于服務(wù)器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。 威剛進一步指出，在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng)，導(dǎo)致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，
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分析師：顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落
- AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。 日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預(yù)期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。 由于需求增長幅度如此之高，供應(yīng)鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預(yù)計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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iPhone X 是臺灣電子業(yè)最后一場盛宴？
- 美國分析師預(yù)言，iPhone 十周年紀念機種的超級換機潮之后，蘋果將后繼無力，迎來「黯淡的 10 年」，臺灣會跟著遭殃嗎?
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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
- 聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪，但強調(diào)DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。 聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應(yīng)多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后，妻子就復(fù)
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
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