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x-gan 文章 進(jìn)入x-gan技術(shù)社區(qū)
觸控科技與ARM攜手提升移動(dòng)游戲性能
- 國(guó)際移動(dòng)娛樂(lè)平臺(tái)公司觸控科技(Chukong Technologies)與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)提供商ARM近日共同宣布，雙方正攜手在基于ARM架構(gòu)的設(shè)備上進(jìn)行Cocos2d-x游戲的效能優(yōu)化。觸控科技的游戲引擎技術(shù)已被國(guó)內(nèi)七成最賣座的游戲采用，其中Cocos2d-x是一款開源跨平臺(tái)的游戲引擎技術(shù)，已被Wooga、Zynga、Gamevil等眾多開發(fā)商下載超過(guò)110萬(wàn)次。觸控科技與ARM的合作體現(xiàn)了觸控科技整合最先進(jìn)的后端技術(shù)，并支持開發(fā)者創(chuàng)造最快、最徹底的移動(dòng)游戲體驗(yàn)的決心?！ ∮|控科技首
- 關(guān)鍵字： Chukong Technologies ARM Cocos2d-x
國(guó)產(chǎn)示波器發(fā)展現(xiàn)狀及對(duì)策分析
- 測(cè)試測(cè)量?jī)x器設(shè)備在電子工業(yè)中占有重要地位，它一方面為研發(fā)提供高質(zhì)量和低成本的測(cè)試工具，另一方面也可以為基礎(chǔ)元器件提供穩(wěn)定的市場(chǎng)。經(jīng)過(guò)本土企業(yè)10年的共同努力，國(guó)產(chǎn)低端示波器占領(lǐng)的市場(chǎng)份額在逐年上升并出口大海外，成功地打破了跨國(guó)企業(yè)的壟斷，為中國(guó)用戶提供了更多的選擇。通過(guò)對(duì)普源精電、致遠(yuǎn)電子、固緯電子和鼎陽(yáng)科技的采訪，我們對(duì)本土示波器行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r有了更清晰的認(rèn)識(shí)。
- 關(guān)鍵字： 示波器 ADC X-stream 201405
基于ANDROID4.X的智能電視電腦一體機(jī)的設(shè)計(jì)方案
- 隨著智能數(shù)字云電視和個(gè)人PC進(jìn)入每個(gè)家庭，觸摸屏輸入功能的設(shè)備也取代了傳統(tǒng)的鍵盤鼠標(biāo)，而支持ANDROID4.X觸摸...
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) 云電視 ANDROID4.X
ASM攜全新SIPLACE X3 S 亮相慕尼黑電子展
- 2014年慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展(Productronica?China)將于3月18-20日在上海新國(guó)際博覽中心W1-W5館舉辦。屆時(shí)，先進(jìn)裝配系統(tǒng)有限公司暨SIPLACE團(tuán)隊(duì)(展位號(hào)W5館?5400)將充分展示其在汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子等SMT應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大能力和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。通過(guò)SIPLACE?X系列，公司將現(xiàn)場(chǎng)向電子產(chǎn)品制造商展示在SIPLACE的幫助下，他們?nèi)绾尾拍軌驖M足行業(yè)最苛刻的特殊要求?！ ‘a(chǎn)品信息：SIPLACE?X?系列 三懸臂&
- 關(guān)鍵字： ASM SMT SIPLACE X
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明
- 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
功率器件的利器 GaN
- GaN是什么? 什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
- 關(guān)鍵字： GaN 功率器件
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