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          固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

          •   1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
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          NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

          • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
          • 關(guān)鍵字: 閃存  設(shè)計  映射  存儲器  NAND  適應(yīng)  

          基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

          • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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          全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

          •   據(jù)媒體報道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。   集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。   集邦科技指出,三星電子
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          Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

          •   外電報導,全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元,遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查,分析師原先預期Hynix Q4
          • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  

          蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

          •   根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著這么大的采購量,蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。   Sacconaghi 報告指出,蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價格為0.6
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          力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

          •   力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量,以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn),而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補,后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來,力晶仍會保留DRAM技術(shù),待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時,將會以記憶體為中心做芯片組的整合,力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。   隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上,加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品,希望明年標準
          • 關(guān)鍵字: 力晶  NAND  

          回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色,而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑,終端產(chǎn)品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱,連帶影響合約價格面臨下滑的壓力,10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。   展望NAND Flash后市,集邦科技認為,雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加,但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題,因此,預
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          9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡,但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
          • 關(guān)鍵字: 集邦科  NAND  記憶卡  

          ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟,所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
          • 關(guān)鍵字: ultrabook  NAND  

          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期,主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。
          • 關(guān)鍵字: IHS iSuppli  NAND  

          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期,主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降,拖累了整體市場,如表1所示。  
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌

          •   受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。  
          • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  

          下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

          •   在日前的一場閃存高峰會中,SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長可能需要再評估。  
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  
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          z-nand介紹

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