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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營(yíng)銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對(duì)此表示，雙方合作關(guān)系不會(huì)受影響。
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動(dòng)NAND Flash需求
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場(chǎng)接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺(tái)大增至5000萬臺(tái)的規(guī)模，可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報(bào)告，該公司下調(diào)對(duì)于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的預(yù)測(cè);原先該公司預(yù)期將成長(zhǎng)4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長(zhǎng)113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強(qiáng)勁的成長(zhǎng)，不過2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟，屆時(shí)設(shè)備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對(duì)于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。
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臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%
- 華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1，出貨量?jī)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來幾個(gè)月，全球的快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資
- 2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開發(fā)也越來越活躍。
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率
- 針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì)，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng)，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 NAND
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