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NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價(jià)續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價(jià)格再跌，恐會(huì)讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補(bǔ)貨需求，帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。 模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價(jià)跌幅較深，通路商補(bǔ)貨意愿不高，但在NAND Flas
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日元走強(qiáng) 東芝稱仍有望實(shí)現(xiàn)芯片業(yè)務(wù)獲利
- 日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日?qǐng)A走強(qiáng)，但該公司有望實(shí)現(xiàn)其在截至明年3月的會(huì)計(jì)年度，芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤達(dá)到12億美元的預(yù)估，因新的電子設(shè)備熱銷，提高了芯片需求。 東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示，因低質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)過多，最近NAND芯片現(xiàn)貨價(jià)格下降，但這對(duì)東芝的影響極小。 NAND閃存芯片需求一直強(qiáng)勁，因受到智能手機(jī)和蘋果的iPad等移動(dòng)設(shè)備暢銷所助。 “整體需求強(qiáng)勁成長情況一直符合我們對(duì)2010會(huì)計(jì)年度的預(yù)期，而且我們預(yù)計(jì)中國國慶節(jié)，黑色星期五
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2011年手機(jī)將消耗NAND Flash總量的40%
- 由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項(xiàng)信息與消費(fèi)型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機(jī)廠商有效去化庫存以及智能手機(jī)成長力道強(qiáng)勁的情況下，下半年手機(jī)成長幅度將領(lǐng)先各項(xiàng)電子產(chǎn)品。也由于智能手機(jī)的熱賣，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。 蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機(jī)的熱賣，預(yù)估2010年手機(jī)出貨量將較2009年成長13%，達(dá)到13億支的規(guī)模，而智能手機(jī)市場(chǎng)扮演重要
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) NAND
2011年手機(jī)將消耗NAND Flash總量的40%
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項(xiàng)信息與消費(fèi)型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機(jī)廠商有效去化庫存以及智能手機(jī)成長力道強(qiáng)勁的情況下，下半年手機(jī)成長幅度將領(lǐng)先各項(xiàng)電子產(chǎn)品。也由于智能手機(jī)的熱 賣，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。 蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機(jī)的熱 賣，集邦科技預(yù)估，2010年手機(jī)出貨量將較2009年成長13%，達(dá)到13億支的
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蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道，來自存儲(chǔ)芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。 蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動(dòng)NAND閃存價(jià)格的上漲，這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋果產(chǎn)品的熱銷往往會(huì)導(dǎo)致NAND閃存市場(chǎng)的供不應(yīng)求。 然而現(xiàn)實(shí)是，目前各個(gè)渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價(jià)格反彈。 更有悲觀的
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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營收將達(dá)到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長將推動(dòng)半導(dǎo)體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達(dá)到420億美元，但它可能會(huì)從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
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NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠開始對(duì)模塊廠讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動(dòng)，部分模塊廠開始回補(bǔ)一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動(dòng)?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項(xiàng)新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計(jì)劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進(jìn)行評(píng)估，預(yù)計(jì)這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲(chǔ)密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計(jì)，一個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲(chǔ)量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲(chǔ)芯片，為達(dá)到最高效率，該芯片使用了三層存儲(chǔ)單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲(chǔ)設(shè)備。該芯片在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲(chǔ)單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級(jí)的產(chǎn)品。公司計(jì)劃利
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iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì)跌到1美元/GB
- iSuppli今天警告稱閃存價(jià)格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因?yàn)橛糜陂W存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價(jià)位開始雪崩。 由于下降的價(jià)格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內(nèi)開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。 此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對(duì)于各種手持設(shè)備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機(jī)、智能本廠商將會(huì)帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
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英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。 新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補(bǔ)貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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