過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展到蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時，電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發展壯大。今天的汽車電子系統已開創了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件
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功率MOSFET 汽車電子 新能源汽車
中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反
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東芝 高速二極管型 功率MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Vishay 源極倒裝技術 PowerPAK 功率MOSFET
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創新性產品設計可滿足汽車應用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認證，這一特點使其成為汽車應用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車行業嚴格的質量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應用性能
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Littelfuse PolarP P通道 增強模式 功率MOSFET
韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產品的長期供應協議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態下，具備低功耗、高速開關能力和高可靠性的，幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。市場調研公司OMDIA的數據表明，2022年功率分立器件的市場規模為212億美元，預計到2027年將達到284億美元，年復合增長率為6%。威世是全球領先的功率分立
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啟方半導體 威世 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡化應用設計方面發揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現靈活的布線并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信
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英飛凌 OptiMOS 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線性
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東芝 功率MOSFET 電源電路
中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降
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東芝推 超級結結構 N溝道 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44
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東芝 N溝道 功率MOSFET
未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。該新產品系列采用了英飛凌
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英飛凌 源極底置 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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東芝 150V N溝道 功率MOSFET
本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現形態，探討了影響這二個電容的相關因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的
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功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數用作開關和驅動器，工作于開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [
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