中國在科技戰爭持續的背景下，在縮小與韓國和美國在移動存儲芯片領域的差距方面取得了重要進展。

中國一家領先的半導體公司取得了該國首款新一代先進移動存儲芯片，實現了縮小與韓國和美國競爭對手的差距的關鍵進展。

長鑫存儲技術（CXMT）在其官方網站上的一份聲明中表示，他們已經生產出中國首款低功耗雙數據率5（LPDDR5）動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片，這是一種由韓國三星電子在2018年首次推出的新一代存儲芯片。

這一突破是在美國加大對中國先進芯片制造業發展的制裁力度的背景下取得的，這將使中國能夠減少對進口產品的依賴，這些產品用于電子設備，如手機和筆記本電腦。

總部位于合肥的CXMT表示，他們的一款產品，即12GB版本，每個都裝有8個容量為12Gb的芯片，已經通過了中國智能手機制造商，包括小米和傳音的驗證。

LPDDR5存儲芯片突破發生在中國報告半導體開發和制造技術方面進展緩慢但穩步的時候，盡管中國被拒絕使用來自荷蘭公司ASML的關鍵高端光刻系統以及一些日本供應商。

在最近的突破中，華為技術公司通過推出其由本地制造的先進芯片驅動的Mate 60 Pro智能手機，使全球大吃一驚。

第三方拆解報告得出的結論是，該芯片可能由中國頂級芯片代工廠，中芯國際，使用現有設備制造。

中芯國際去年10月首次在上交所科創板上市，市值已飆升至4600億元。 數據來源：Wind

中芯國際通過制造所謂的中端芯片成為中國半導體領域的先行者，不過，其技術仍遠遠落后于全球領先芯片公司。

宏基副總裁陳念偉在接受21世紀經濟報道記者采訪時表示，中芯國際生產的中端芯片憑借“一定的”技術水平取得了成功，但追趕最先進制程的先進芯片仍需要大量資金和人才。

中芯國際仍然沒有擺脫從國際芯片制造設備制造商購買的依賴。

“CXMT在提高生產產量、在價格和質量上保持競爭力方面仍然面臨重重困難，與韓國DRAM制造商相比可能會有所不及，”研究公司Counterpoint的副總監Brady Wang表示，并補充說，用于生產芯片的技術可能不如韓國先進，以便符合美國設定的限制。

三星于2018年推出了業內首款8Gb LPDDR5芯片，并于2021年基于14納米工藝更新到16Gb LPDDR5X芯片，提供高達8500兆位每秒的數據處理速度，比上一代快1.3倍以上。

SK海力士于2021年3月開始大規模生產其LPDDR5移動DRAM，而美光于2020年初宣布其LPDDR5芯片，稱將在小米的Mi 10智能手機上使用。