<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 汽車(chē)電子 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 功率器件在混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)中的應(yīng)用

          功率器件在混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)中的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2012-05-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          ()市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來(lái)的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車(chē)與標(biāo)準(zhǔn)汽車(chē)進(jìn)行比較,并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具有同樣的性能和可靠性。混合汽車(chē)增加的成本必須在擁有期間通過(guò)節(jié)省燃料和維護(hù)成本得到回報(bào)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/196867.htm

          用在中逆變器和dc-dc轉(zhuǎn)換器中的功率模塊和其內(nèi)的是主要的性能、可靠性和成本驅(qū)動(dòng)器。效率、功率密度和特定功率是一些關(guān)鍵性能指標(biāo)。最重要的可靠性規(guī)范是熱循環(huán)和功率循環(huán)。

          的分類(lèi)

          在混合汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,需將一或幾個(gè)電機(jī)與燃燒引擎一起使用??筛鶕?jù)混合程度和系統(tǒng)架構(gòu)對(duì)混合汽車(chē)進(jìn)行分類(lèi)??杀环譃槲?micro)級(jí)、輕度(mild)級(jí)和完全(full)級(jí)的混合程度決定電機(jī)執(zhí)行的功能。該分類(lèi)還決定所需的功率級(jí)及優(yōu)選的系統(tǒng)架構(gòu)。

          串行、并行和功率分配是最常用的架構(gòu)。對(duì)一款特定車(chē)輛來(lái)說(shuō),混合程度和系統(tǒng)架構(gòu)的選擇主要取決于所需的功能、車(chē)輛大小、行駛年限及設(shè)定的燃油經(jīng)濟(jì)性指標(biāo)。每個(gè)混合系統(tǒng)的功率電子內(nèi)容各不一樣,它取決于功能、功率要求和架構(gòu)。

          當(dāng)僅需要啟動(dòng)-停止功能時(shí)(例如旅行車(chē)場(chǎng)合),用一個(gè)集成起動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī)系統(tǒng)代替了起動(dòng)器和交流發(fā)電機(jī)的并行微混合的方法就很通用。在這些系統(tǒng)中,電壓和功率等級(jí)相對(duì)較低,其油耗的改進(jìn)在10%左右。

          除啟動(dòng)-停止功能外,當(dāng)需要時(shí),一個(gè)輕度混合系統(tǒng)可提升/輔助引擎功率,另外,它還從再生制動(dòng)中獲取能量,從而可將油耗的改進(jìn)提升到15%左右。增加的功能需要更高的能耗,所以要采用高壓器件(80 V 到600 V)。

          若以完全電子模式運(yùn)行車(chē)輛,則需要一個(gè)具有高壓和大電流能力的完全混合系統(tǒng)。根據(jù)應(yīng)用,完全混合系統(tǒng)可具有串行、并行和功率分配架構(gòu),它可將油耗降低35%。

          系統(tǒng)中功率電子面臨的挑戰(zhàn)

          HEV系統(tǒng)中的功率電子需高效地將能量從dc轉(zhuǎn)至ac(電池到電機(jī))、從ac轉(zhuǎn)至dc(發(fā)電機(jī)到電池)及從dc 到dc(對(duì)升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō),是從低的電池電壓到高的逆變器輸入電壓;對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō)是從高壓電池到低壓電池)。因在該能量轉(zhuǎn)換中,要對(duì)高壓和大電流進(jìn)行開(kāi)關(guān),所以需采用具有最低損耗的技術(shù)。對(duì)較低的系統(tǒng)電壓和電流來(lái)說(shuō),MOSFET技術(shù)比IGBT有更好的功率密度,它們用在微混合應(yīng)用中。對(duì)輕度混合應(yīng)用來(lái)說(shuō),當(dāng)系統(tǒng)電壓高于120V時(shí),IGBT是首選器件。對(duì)全混合應(yīng)用來(lái)說(shuō),600V到1200V的IGBT是使用的唯一器件。

          一般來(lái)說(shuō),傳統(tǒng)的NPT IGBT在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗特性間有一個(gè)平衡。若導(dǎo)通損耗降低則開(kāi)關(guān)損耗增加。英飛凌的溝道FieldStop IGBT及配套的EmCon二極管技術(shù)與傳統(tǒng)器件相比,在增加芯片電流密度的同時(shí)減小了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。通過(guò)采用一個(gè)場(chǎng)截止(fieldstop)層來(lái)得到更低損耗,該層減小了器件厚度并降低了通過(guò)器件的壓降。圖1顯示了平面和溝道器件所用不同IGBT技術(shù)的截面層。另外,F(xiàn)ield-Stop器件可連續(xù)工作在150 °C(最高175 °C)的結(jié)溫度,該特性強(qiáng)化了芯片電流密度并使采用更高的冷卻溫度變得更容易。

          11.jpg

          嵌放在一個(gè)便利封裝內(nèi)的功率模塊可承受極端溫度環(huán)境、震動(dòng)及其它惡劣環(huán)境條件。除器件工作引起的溫度變化外,環(huán)境溫度變異及車(chē)內(nèi)產(chǎn)生的振動(dòng)帶來(lái)可靠性挑戰(zhàn)。在混合汽車(chē)應(yīng)用中功率模塊預(yù)期的使用壽命是15年/15萬(wàn)英里,所以在設(shè)計(jì)該模塊時(shí),要使其能具有期望的可靠性。例如,在某些情況,更高的器件性能會(huì)對(duì)模塊的穩(wěn)定性產(chǎn)生不良影響。從器件技術(shù)的角度講,某些可工作于高的結(jié)溫度,但該更高的結(jié)溫度會(huì)在線綁定接口產(chǎn)生更高溫度,從而降低模塊功率周期的穩(wěn)定性。因此,需建立一整套全面的器件和封裝技術(shù)規(guī)范來(lái)優(yōu)化性能、可靠性和成本。

          混合車(chē)用功率半導(dǎo)體模塊

          應(yīng)用需要功率模塊具有高電流密度,這也就意味著每單位電流容量具有更小的體積。器件越小,包納其于其內(nèi)的底層也就越小,結(jié)果就得到一個(gè)模塊雖小但功率密度更高的模塊。圖2顯示的是英飛凌預(yù)期的1200V器件體積的減小情況。顯然,與NPT器件相比,F(xiàn)ieldStop器件顯著縮小了體積。

          22.jpg

          封裝設(shè)計(jì)和互連技術(shù)對(duì)模塊的寄生感應(yīng)產(chǎn)生很大影響,它們也可被用來(lái)改進(jìn)功率密度。另外,選擇的材料也會(huì)對(duì)性能和可靠性產(chǎn)生影響。例如,氮化硅底層的成本比氧化鋁底層的成本高很多,但前者的熱性能明顯好于后者。同樣,昂貴的鋁硅碳化物基板也比便宜的銅基板具有高得多的熱循環(huán)可靠性。

          當(dāng)為HEV設(shè)計(jì)功率模塊時(shí),需在設(shè)計(jì)開(kāi)始就明確關(guān)鍵的障礙。需采用恰當(dāng)?shù)钠骷夹g(shù)、底層布局和封裝技術(shù)以滿(mǎn)足性能、可靠性和成本目標(biāo)。表1顯示了三種模塊在性能和可靠性方面的對(duì)比,它們分別是:用于工業(yè)可變速驅(qū)動(dòng)的標(biāo)準(zhǔn)半橋62mm模塊、用于輕度混合的六單元(six-pack)HybridPACK1模塊(圖3)和用于全混合的六單元(six-pack)HybridPACK2模塊。

          33.jpg

          在全部三種模塊內(nèi),都采用了相同的600V溝道FieldStop器件技術(shù),但采用的封裝技術(shù)不同。62mm和 HybridPACK1模塊實(shí)現(xiàn)的器件電流是400A(每開(kāi)關(guān)各有兩個(gè)200A IGBT和兩個(gè)200A二極管),而HybridPACK2模塊的電流是800A(每開(kāi)關(guān)各有四個(gè)200A IGBT和四個(gè)200A二極管)。用于62 mm、HybridPACK1和HybridPACK2模塊功率和信號(hào)熱連接的封裝技術(shù)分別采用的是:焊接、線綁定和超聲波焊接。通過(guò)布局改良及采用線綁定的功率和信號(hào)熱連接,HybridPACK1模塊的功率密度已比62mm模塊提升了50%。雖然寄生感應(yīng)增加了50%,但對(duì)600V器件來(lái)說(shuō),這并非一個(gè)主要問(wèn)題,因?yàn)樵谳p度混合應(yīng)用中最壞的系統(tǒng)電壓情況在200V以下。

          44.jpg

          通過(guò)創(chuàng)新的超聲波焊接工藝和改進(jìn)的布局,HybridPACK2模塊的功率密度增加了120%以上。多個(gè)線連接及為了移動(dòng)綁定工具分配的空間使線綁定熱連接在封裝內(nèi)很占空間;超聲波焊接則省去了該空間且速度也比線綁定工藝快。另外,線綁定的電流輸送能力有限。因厚的銅終端在超聲波焊接時(shí)與底層融固在一起,所以,超聲波焊接的電流載運(yùn)能力不受限制。更緊湊的封裝還顯著降低了HybridPACK2封裝的自感。對(duì)全混合應(yīng)用來(lái)說(shuō),因系統(tǒng)電壓會(huì)高于400V,且大電流會(huì)產(chǎn)生很大的dI/dt,所以低的寄生感應(yīng)很重要。

          模塊的熱阻抗主要取決于每開(kāi)關(guān)所占的芯片面積、模塊的材料堆疊及底層布局。材料堆疊特性直接影響模塊的熱阻抗,而布局則增加了交叉?zhèn)鲗?dǎo)部分。在62mm和HybridPACK1模塊中,采用了平的銅基層,而HybridPACK2則采用集成的針翅管(pin-finned)銅基層。對(duì)帶有平基層的模塊來(lái)說(shuō),需將導(dǎo)熱脂和散熱層的熱阻抗加起來(lái)以得到“從結(jié)到環(huán)境”的熱阻抗。借助拿掉了導(dǎo)熱脂層并直接將底層與針翅管基板焊接在一起,從而顯著改善了HybridPACK2模塊的熱阻抗表現(xiàn)。

          模塊內(nèi)臨近材料的熱擴(kuò)展不匹配將使連接部位產(chǎn)生壓力形變并最終導(dǎo)致故障。最大的壓力產(chǎn)生在銅基板上為與底層焊接在一起所涂覆的焊料點(diǎn)上。為加強(qiáng)可靠性,模塊制造商傳統(tǒng)上采用氮化鋁底層與鋁硅碳化物基板的組合,此舉顯著增加了成本。為替代昂貴的鋁硅碳化物,英飛凌開(kāi)發(fā)出采用銅基板和改進(jìn)的氧化鋁底層的HybridPACK1和HybridPACK2模塊。這種材料組合可滿(mǎn)足可靠性目標(biāo)要求,但成本卻降低了很多。汽車(chē)的可靠性目標(biāo)是從-40 °C到125 °C的1000次循環(huán)。

          結(jié)論

          功率模塊的性能、可靠性和成本是HEV市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)器。為降低成本,需降低功率模塊內(nèi)器件的功率密度和結(jié)溫度。英飛凌的溝道FieldStop IGBT和EmCon就是在增加結(jié)溫度的同時(shí)可降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的這樣一類(lèi)器件。通過(guò)采用高效的功率器件和超聲波焊接技術(shù)可顯著改進(jìn)模塊的功率密度;同樣,采用集成的針翅管基層可改進(jìn)熱性能。改進(jìn)的氧化鋁底層和銅基板方法能以低成本為HybridPACK模塊提供最優(yōu)異的可靠性。對(duì)全混合應(yīng)用來(lái)說(shuō),HybridPACK2是一款優(yōu)異的模塊,它提供了高功率密度、低自感、低熱阻及最佳可靠性和最低成本。

          REFERENCES

          1.McKinsey Company, “Drive — The future of Automotive Power,” 2006.

          2.R. Amro et al, “Power Cycling at High Temperature Swings of Modules with Low Temperature Joining Technique,” ISPSD 2006, Naples.

          3.T. Laska et al, “The Field Stop IGBT (FS IGBT) — A New Power Device Concept with a Great Improvement Potential,” Proceedings of the 12th ISPSD, pp.355-358, 2000.

          4.P. Kanschat et al, “600V IGBT3: A Detailed Analysis of Outstanding Static and Dynamic Properties,” Proc. PCIM Europe, pp. 436-441, 2004.

          5.A. Kawahashi et al, “A New-Generation Hybrid Electric Vehicle and its Supporting Power Semiconductor Devices,” Proceedings of 16th ISPSD, pp. 23-29, 2004.



          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專(zhuān)區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();