技術領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術和SSD產(chǎn)品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。

　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那么一定會謀求稱霸，否則他們寧可選擇退出也不愿意作為鳳尾茍活，過去，由于自己的產(chǎn)品在某些市場領域表現(xiàn)不佳，他們最后都選擇了退出，他們曾先后因此而從ASIC市場，通訊IC市場，NOR閃存市場，品牌機市場，超級計算機市場等退出。

　　而SSD市場則是另外一回事，今年Intel的SSD硬盤產(chǎn)品計劃可謂雄心勃勃，他們計劃推出基于25nm制程的新款SSD硬盤產(chǎn)品。Rampone表示：”我們想在SSD市場爭奪第一，并且希望SSD產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)主流化，不再是陽春白雪級的產(chǎn)品。“

　　往事不堪回首：

　　Intel過去在閃存市場的表現(xiàn)可謂幾經(jīng)浮沉，1988年，Intel曾經(jīng)開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款商用化的NOR閃存產(chǎn)品，后來又成為NOR閃存市場上份額最高的廠商，并扮演了NOR閃存市場技術帶頭人的角色，不過由于當時的NOR閃存市場競爭過于激烈，而且市場需求也并不旺盛，結果他們在NOR閃存市場反而出現(xiàn)賠本經(jīng)營的情況。

　　此后AMD和富士通公司瞅準機會也成立了自己的合資公司Spansion，專門生產(chǎn)NOR閃存 。隨著市場競爭的日益激烈，Intel干脆放棄了自己的NOR閃存業(yè)務，把這部分業(yè)務與意法半導體公司的閃存業(yè)務部門合并起來成立了現(xiàn)在的Numonyx NV。

　　新的開端：NAND閃存業(yè)務

　　不過Intel并未就此徹底放棄閃存市場。2006年，他們與鎂光合資成立了IM Flash公司，同年這家公司在Lehi地區(qū)耗資20億美元興建了首間300mm晶圓廠，根據(jù)雙方的協(xié)議，IM Flash公司生產(chǎn)的閃存芯片51%將供給鎂光公司，余下的部分則歸Intel所有。

　　Intel的合作伙伴鎂光公司初涉NAND市場時僅推出了基于90nm制程的閃存芯片產(chǎn)品，后來又推出了基于72nm制程的產(chǎn)品，相比三星和東芝這樣的競爭對手，其制程技術方面的落后還是比較明顯的，平均比他們落后了1-2代制程。

　　06年IM Flash公司成立的時候，推出的首款產(chǎn)品是基于50nm制程的，2008年他們又推出了34nm制程的產(chǎn)品，Intel和鎂光正是憑借這種34nm制程產(chǎn)品在NAND閃存市場上取得了暫時的領先地位。而現(xiàn)在他們計劃推出的25nm制程8GB容量MLC閃存則讓他們又一次站在了業(yè)內(nèi)的領先位置上。他們憑借這種技術將再次超越Sandisk-東芝聯(lián)盟，以及三星的32/30nm制程產(chǎn)品，而另外一個競爭對手Hynix則正計劃推出26nm制程NAND閃存。