中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)

　　Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標(biāo)志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進IC產(chǎn)品市場主導(dǎo)的今天，中芯的這一舉措有助于其進一步拓展65nm產(chǎn)品線，快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝，加快客戶的產(chǎn)品上市時間。

　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應(yīng)用而設(shè)計的，這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實現(xiàn)面積最小、低動態(tài)和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內(nèi)建了調(diào)整電路，可支持快速的、芯片加工后的調(diào)整，以應(yīng)對意外的芯片/電路板寄生或工藝變化，而無需用戶對現(xiàn)有設(shè)計進行修改。這一特性使得設(shè)計人員能夠提高良品率，并最大限度地降低昂貴的芯片改版成本。

　　“新思科技經(jīng)過硅驗證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國際的低漏電65nm工藝技術(shù)相互融合，使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實現(xiàn)關(guān)鍵上市時間目標(biāo)和快速投入量產(chǎn)的工藝中，”中芯國際高級副總裁兼首席業(yè)務(wù)官季克非表示，“近來，客戶充分利用中芯國際65納米低漏電工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片領(lǐng)域大獲成功，這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰(zhàn)略和協(xié)同關(guān)系，利用我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的集成、功率效率和性價比，為我們的客戶提供明顯領(lǐng)先的優(yōu)勢。我們期待著與新思科技一如既往地開展持續(xù)合作，并向更先進的工藝制程邁進。”