三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

　　今年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺(tái)式機(jī)，筆記本，服務(wù)器，上網(wǎng)本，移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。

　　三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。