英飛凌與中芯國際合作擴展至90納米生產(chǎn)領域

     英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 
       根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術轉讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進行其70納米技術的進一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術范圍之內(nèi)的產(chǎn)品。預計在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗證之后，中芯國際將開始將其目前用于英飛凌110納米DRAM產(chǎn)品的300毫米生產(chǎn)線轉移至90納米產(chǎn)品之上。 
       “我們與中芯國際的合作起步于2002年十二月，此次的擴展協(xié)議將進一步增大我們現(xiàn)有的生產(chǎn)合作協(xié)議內(nèi)容，從而可以在無需投資修建新生產(chǎn)線的前提下繼續(xù)拓展我們的DRAM 業(yè)務” 
，英飛凌科技股份有限公司管理董事會成員兼英飛凌存儲產(chǎn)品業(yè)務集團總裁羅建華（Kin Wah Loh）先生表示。 “中芯國際是我們在中國和亞洲的核心合作伙伴。我們希望繼續(xù)仰仗他們?yōu)橛w凌提供具有高效益的最佳生產(chǎn)制造解決方案”。