臺積電：先進制程的挑戰(zhàn)在曝光與平坦化技術

　　芯片走向極小化、多任務、高效能且低價的態(tài)勢已不可改變。在后摩爾定律時代，芯片走向20nm，甚至14nm和10nm制程技術，曝光技術將是驅動半導體業(yè)成長的關鍵，而其他如制程、設備、和材料也將扮演著相當關鍵角色。臺積電(2330)資深處長林本堅表示，曝光技術將成為先進制程未來發(fā)展的挑戰(zhàn)，如何能透過技術提升，縮減20奈米的曝光成本，將成為當前重要課題，供應鏈合作創(chuàng)新也將成共識。

　　此外，平坦化技術(CMP)則是32nm以下制程的關鍵，新的晶體管結構和像是TSV等新的封裝技術都必須倚賴先進的平坦化技術才能達成，Entegris新事業(yè)發(fā)展副總裁 ChristopherWargo表示，越先進制程所需的平坦化技術更高，因此CMP不容忽視。ChristopherWargo認為，不只有拋光墊片、研磨液重要，其他在制程中需要的所有的耗材，都對于平坦化技術有很大的影響。